1.一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，其特征在于：包括衬底(2)，衬底(2)下方设置N型欧姆接触电极(1)，衬底上部设置第一N型SiC外延层(3)，第一N型SiC外延层(3)上部设置第二N型SiC外延层(4)，在第二N型SiC外延层(4)的顶部设有若干肖特基电极(5)，在第二N型SiC外延层(4)的顶部除去肖特基电极(5)的区域设有SiO2钝化层(6)，在SiO2钝化层(6)的上方设有Pm‑147放射性同位素源(7)；

第一N型SiC外延层(3)的厚度为7.5～11μm；第二N型SiC外延层(4)的掺杂浓度为1×

14 ‑3 16 ‑3 16 ‑3 17 ‑3

10 cm ～1.2×10 cm ；第一N型SiC外延层(3)的掺杂浓度为1.2×10 cm ～5×10 cm ；

N型SiC外延层的浓度越高厚度越薄，N型SiC外延层的浓度越低厚度越厚。

2.根据权利要求1所述的一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，其特征在于：第一N型SiC外延层(3)和第二N型SiC外延层(4)的总厚度为14.5～39μm；第一N型SiC外延层(3)的掺杂浓度高于第二N型SiC外延层(4)的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，其特征在于：SiO2钝化层(6)的厚度为9nm～45nm。

4.根据权利要求3所述的一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，其特征在于：肖特基电极(5)的宽度为0.3μm～1.5μm，间距为2μm～10μm。

5.根据权利要求4所述的一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，其特征在于：肖特基电极(5)从下到上包括金属Ni层，金属Pt层，金属Au层，Ni层的厚度为50nm～100nm，Pt层的厚度为50nm～200nm，Au层的厚度为100nm～2000nm；金属Ni层能够替换为金属Ti层。

6.根据权利要求5所述的一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

步骤一、提供衬底(2)，衬底(2)由N型高掺杂SiC基片构成；

16 ‑3

步骤二、采用化学气相沉积法在衬底(2)的上表面上外延生长掺杂浓度为1×10 cm ～

17 ‑3

5×10 cm 、厚度为7μm～28μm的第一N型SiC外延层(3)；

步骤三、采用化学气相沉积法在第一N型SiC外延层(3)的上表面上外延生长掺杂浓度

14 ‑3 16 ‑3

为1×10 cm ～1×10 cm 、厚度为7.5～11μm的第二N型SiC外延层(4)；

步骤四、采用干氧氧化在第二N型SiC外延层(4)的上表面形成厚度为10nm～50nmSiO2钝化层(6)；

步骤五、在衬底(2)的下方依次淀积厚度为200nm～400nm的金属Ni和厚度为100～

200nm的金属Pt；

步骤六、在N2气氛下进行温度为950℃～1050℃的热退火2分钟，在衬底(2)的下方形成N型欧姆接触电极(1)；

步骤七、采用反应离子干法刻蚀法在SiO2钝化层(6)刻蚀出与肖特基电极(5)相匹配的宽度的窗口，露出N型SiC外延层(4)；

步骤八、在N型SiC外延层(4)的上方没有SiO2钝化层(6)的窗口中依次淀积厚度为50nm～100nm的金属Ni和厚度为1000nm～2000nm的金属Al，形成肖特基电极(5)；

步骤九、在所述SiO2钝化层(6)顶部除去肖特基电极(5)的区域设置有Pm‑147放射性同位素源(7)。