1.一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池，其特征在于，包括N型高掺杂SiC衬底(2)、N型欧姆接触电极(1)、第一N型SiC外延层(3)、第二N型SiC外延层(4)、P型SiC欧姆接触掺杂区(5)、P型欧姆接触电极(6)、SiO2钝化层(7)和Pm‑147放射性同位素源(8)；N型高掺杂SiC衬底(2)，N型高掺杂SiC衬底(2)下方设置N型欧姆接触电极(1)，N型高掺杂SiC衬底(2)上部设置第一N型SiC外延层(3)，第一N型SiC外延层(3)上部设置第二N型SiC外延层(4)，在第二N型SiC外延层(4)上部采用离子注入形成P型SiC欧姆接触掺杂区(5)，在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的顶部中心处设有P型欧姆接触电极(6)，在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的顶部除去P型欧姆接触电极(6)的区域设有SiO2钝化层(7)，在SiO2钝化层(7)的上方设有Pm‑147放射性同位素源(8)；

第一N型SiC外延层(3)的厚度为8μm～12μm；

14 ‑3 16 ‑3

第二N型SiC外延层(4)的掺杂浓度为1×10 cm ～1×10 cm ；

16 ‑3 17 ‑3

第一N型SiC外延层(3)的掺杂浓度为1×10 cm ～5×10 cm ；第一N型SiC外延层(3)的掺杂浓度高于第二N型SiC外延层(4)的掺杂浓度；N型SiC外延层的浓度越高厚度越薄，N型SiC外延层的浓度越低厚度越厚。

2.根据权利要求1所述的一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池，其特征在于，第一N型SiC外延层(3)和第二N型SiC外延层(4)的总厚度为15μm～40μm。

3.根据权利要求1所述的一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池，其特征在于，SiO2钝化层(7)的厚度为10nm～50nm。

4.一种根据权利要求1所述的Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供由N型高掺杂SiC基片构成的N型高掺杂SiC衬底；

步骤二、采用化学气相沉积法在步骤一所述N型高掺杂SiC衬底的上表面上外延生长掺

16 ‑3 17 ‑3

杂浓度为1×10 cm ～5×10 cm 、厚度为7μm～28μm的第一N型SiC外延层(3)；

步骤三、采用化学气相沉积法在所述第一N型SiC外延层(3)的上表面上外延生长掺杂

14 ‑3 16 ‑3

浓度为1×10 cm ～1×10 cm 、厚度为8μm～12μm的第二N型SiC外延层(4)；

步骤四、采用离子注入方法在所述第二N型SiC外延层(4)的上形成掺杂浓度为1×

18 ‑3 19 ‑3

10 cm ～1×10 cm 的P型SiC欧姆接触掺杂区(5)；并在Ar气氛下进行温度为1650℃～

1700℃的热退火10分钟；

步骤五、采用干氧氧化在所述第二N型SiC外延层(4)的上表面形成厚度为10nm～

50nmSiO2钝化层(7)；

步骤六、采用反应离子干法刻蚀法在SiO2钝化层(7)刻蚀出宽度1μm～5μm台阶，露出P型SiC欧姆接触掺杂区(5)；

步骤七、在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的上方没有SiO2钝化层(7)的窗口上依次淀积厚度为200nm～400nm的金属Ni和厚度为100～200nm的金属Pt；

步骤八、在N型高掺杂SiC衬底(2)的下方依次淀积厚度为200nm～400nm的金属Ni和厚度为100～200nm的金属Pt；

步骤九、在N2气氛下进行温度为950℃～1050℃的热退火2分钟，在所述P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的上方没有SiO2钝化层(7)的窗口上形成P型欧姆接触电极(6)；在所述N型高掺杂SiC衬底(2)的下方形成N型欧姆接触电极(1)；

步骤十、在所述SiO2钝化层(7)顶部除去P型欧姆接触电极(6)的区域设置有Pm‑147放射性同位素源(8)。