1.一种手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片，其特征在于，包括SPR芯片和分子印迹薄膜。

2.根据权利要求1所述的手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片，其特征在于，所述分子印迹薄膜的制备原料包含氧化石墨烯、L-色氨酸、多巴胺和过硫酸铵。

3.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于依次包括如下步骤：(1)修饰SPR芯片：在SPR芯片表面形成单分子自组装膜；

(2)将步骤(1)经修饰的SPR芯片浸入含有氧化石墨烯、L-色氨酸、多巴胺和过硫酸铵的预聚合液中，除氧后50～70℃条件下引发聚合，在SPR芯片表面形成一层原位聚合的分子印迹薄膜，得到能够手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片。

4.根据权利要求3所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(1)所述SPR芯片为裸金芯片，修饰前需要清洗，清洗方法如下：将裸金芯片放入Piranha洗液，待Piranha洗液降低到60℃以下放入裸金芯片浸泡5～

10min；然后用去离子水和无水乙醇冲洗芯片，最后用氮气吹干。

5.根据权利要求4所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于所述的Piranha洗液是由浓H2SO4与浓度为30％的H2O2溶液混合配制而成，浓H2SO4与H2O2溶液体积比为7∶3～5。

6.根据权利要求3所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(1)所述SPR芯片修饰的具体方法如下：将裸金芯片置于10～20mM的β-巯基乙胺-乙醇溶液中，浸泡20～30h；取出芯片后，用去离子水和乙醇冲洗芯片表面，用氮气吹干。

7.根据权利要求3所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于所述氧化石墨烯采用修正的Hummers法制备氧化石墨烯。

8.根据权利要求3所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(2)的具体方法如下：氧化石墨烯放入10～20mM的三羟甲基氨基甲烷缓冲溶液中，冰水水浴超声30～40min直至氧化石墨烯完全溶解，然后加入多巴胺和L-色氨酸、过硫酸铵，振荡并超声溶解5～10min，通氮气除氧8～15min，得到预聚合液；将经过修饰的SPR裸金芯片浸于预聚合液中，继续通氮5～10min，密封反应容器，置于真空干燥箱50～70℃下聚合6～

18h，即可在芯片表面获得分子印迹薄膜；用甲醇-盐酸混合溶液洗脱3～4次，得到能够手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片。

9.根据权利要求8所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(2)中氧化石墨烯与L-色氨酸的质量比为0.2～1.8，多巴胺与L-色氨酸的摩尔比为0.16～1.5，过硫酸铵与多巴胺的质量比为0.5～2.5。

10.权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的在手性识别L-色氨酸中的应用。