1.一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：

（1）先在反应釜中加入纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4 6小时，即在Cu片上制得光电压值为0.0937V 0.3168V的Cu2O薄膜；

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（2）在装有步骤（1）所得的Cu2O薄膜的反应釜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的 Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的 AgNO3溶液，于80℃~120℃的烘箱内反应2~8小时；即获得光电压值为0.3273V ~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。