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专利号: 2018101716286
申请人: 哈尔滨商业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于该方法按以下步骤实现:一、将钼酸钠固体粉末和氯化钴固体粉末加入到反应器中,加入超纯水,超声分散均匀得到钼酸钠和氯化钴的混合溶液;

二、将泡沫镍基底依次使用无水乙醇、丙酮和水分别进行超声清洗,然后置于硝酸中超声清洗,再用无水乙醇和水反复冲洗后进行干燥处理,得到清洗干净的泡沫镍基底;

三、将步骤一中装有钼酸钠和氯化钴的混合溶液的反应器转移到磁力搅拌器上,向反应器中加入清洗干净的泡沫镍基底进行磁力搅拌0.5~20h,控制反应温度60~150℃,磁力搅拌反应2~36h,得到钼酸钴/泡沫镍薄膜材料,然后使用无水乙醇和水反复冲洗,干燥处理后在200~600℃的温度下对钼酸钴/泡沫镍薄膜材料进行热处理,得到钼酸钴/泡沫镍复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中钼酸钠固体粉末和氯化钴固体粉末的摩尔比为1:1~10。

3.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中将

0.001mol~0.003mol钼酸钠固体粉末和0.0015mol~0.0065mol氯化钴固体粉末加入到反应器中,加入50mL~150mL超纯水。

4.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中泡沫镍基底的面积为1~36cm2。

5.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中所述硝酸的浓度为0.01~0.1mol/L。

6.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中所述的干燥处理是在40~100℃下干燥2~16h。

7.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中磁力搅拌的转速为100~2000r/min。

8.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中向反应器中加入清洗干净的泡沫镍基底进行磁力搅拌2~5h。

9.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中控制反应温度60~95℃,磁力搅拌反应3~6h。

10.根据权利要求1所述的钼酸钴/泡沫镍复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中在200~350℃的温度下对钼酸钴/泡沫镍薄膜材料进行热处理1.5~3h。