1.一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的原位阵列电极为硫化钴纳米针与二硫化钼纳米片的复合电极，具体制备方法为：（1）将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极；

（2）将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；

（3）再将第（2）步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。

2.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的氯化钼溶于挥发非水溶剂，氯化钼的浓度为100 900 mM。

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3.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的挥发非水溶剂，包括：乙醇、N, N-二甲基甲酰胺。

4.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，第一次硫化，其特征在于反应温度为400 600℃，反应时间为0.5 4 h。

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5.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，第一次硫化，其特征在于反应温度为600℃，反应时间为1h。

6.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，第二次硫化，反应温度为400 800℃，反应时间为0.5 4 h。

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7.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，第二次硫化，反应温度为600℃，反应时间为0.5h。

8.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，Ar+S气氛或N2+S气氛中，Ar、N2为保护气体，气体流量1~10 SCCM；S气体为硫粉蒸发形成，硫粉的量远过量于钼原子。

9.权利要求1-8任一项所述制备得到的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极在电解水制氢上的应用。