1.一种铜锌锡硫光电薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1，将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡和氢氧化钠按照质量浓度比为2：1：1.5：1进行混合均匀，加入含有PVP的去离子水，在40～55℃下调节pH值为7～11，在该温度下静置1.5～2h，洗涤过滤分离得到复合沉淀；

步骤2，将复合沉淀真空干燥后在480～550℃下烧结0.5～2h，得到复合氧化物颗粒；

步骤3，将复合氧化物颗粒、乙醇、甲基纤维素和PVP混合球磨，得到复合氧化物纳米墨水；甲基纤维素的添加量为乙醇质量的0.2％～4％，PVP的添加量为乙醇质量的0.2％～

4％；

步骤4，在预热后的钼基底上旋涂复合氧化物纳米墨水，旋涂温度为200～300℃，得到氧化物预制层薄膜；

步骤5，将氧化物预制层薄膜与硫粉置于管式炉中在520～600℃下保温时间0.5～1h，得到铜锌锡硫光电薄膜。

2.如权利要求1所述的铜锌锡硫光电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤1中，硫酸铜的质量浓度为12～60g/L，硫酸锌的质量浓度为8～35g/L，硫酸亚锡的质量浓度为8～

40g/L，氢氧化钠的质量浓度为10～35g/L。

3.如权利要求1所述的铜锌锡硫光电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，所述的PVP的添加量为去离子水质量的0.1％～2％。

4.如权利要求1所述的铜锌锡硫光电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤3中，球磨工艺参数为：在400～750r/min下球磨4～8h。

5.如权利要求1所述的铜锌锡硫光电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤4中，钼基底玻璃片的预热温度为30～60℃。