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专利号: 2018102458154
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种纳米晶粒密堆积的金刚石薄膜的制备方法,其特征在于所述方法为:

(1)对单晶硅衬底进行手工打磨与金刚石微粉超声打磨结合的预处理方式;(2)将步骤(1)所得单晶硅衬底置于所述热丝化学气相沉积设备腔体中,沉积气压1-2kPa,以丙酮为碳源,采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中,碳源与氢气流量比为70-100:200,热丝功率

4000-4500W,在沉积过程中关闭偏压,沉积时间40-60min,在单晶硅衬底上制备得到纳米晶粒密堆积金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的金刚石薄膜,其特征在于:所述步骤(1)为:在丙三醇中配置金刚石悬浊液,将配置的悬浊液滴于抛光绒布表面,将单晶硅衬底在抛光绒布上手工打磨20-

40min;在蒸馏水中配置0.01-0.05g/ml的金刚石微粉悬浊液,将手工打磨后的单晶硅衬底置于蒸馏水配置的金刚石悬浊液中超声振荡20-40min。

3.如权利要求1~2之一所述的方法制备的纳米晶粒密堆积的金刚石薄膜。

4.如权利要求3所述的纳米晶粒密堆积的金刚石薄膜,其特征在于结构特征为:晶粒尺寸在10-30nm,晶粒之间密堆积形成界面,非晶碳含量极少。