1.一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的 Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方；

所述Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ge(a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层Ge层的厚度， a=5nm；b为单层Sb层的厚度， b=1或3；x为Ge层和Sb层的交替周期数，x=6或8；

48nm≤（a+b）*x≤72nm。