1.一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，其特征在于所述Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ge(a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层Ge层的厚度， a=5nm；b为单层Sb层的厚度， b=1或3 nm；x为Ge层和Sb层的交替周期数，x=6或8，制备方法包括以下步骤：

①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Ge和Sb作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

③磁控溅射制备[Ge(a)/Sb(b)]x多层复合薄膜，首先清洁Ge靶材和Sb靶材表面，清洁完毕后，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Ge靶位；打开Ge靶位上的射频电源，溅射结束后得到Ge层，Ge层溅射速率为1～2s/nm；Ge层溅射完成后，关闭Ge靶位上施加的直流电源，将已经溅射了Ge层的基片旋转到Sb靶位，开启Sb靶位上的射频电源，溅射结束后得到Sb层，Sb层溅射速率为2～4s/nm；重复上述溅射Ge层和Sb层的操作至需要的薄膜厚度，溅射结束得到GeSb类超晶格相变薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤②中高纯氩气的体积百分比≥

99.999%，Ar气流量为25～35SCCM，氩气溅射气压为0.28Pa～0.35Pa。