1.一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，其特征是，所述的制备方法包括以下步骤：S.1 清洗处理自支撑薄膜基板，所述自支撑薄膜基板为氮化硅自支撑薄膜基板或者氧化硅自支撑薄膜基板；

S.2在薄膜基板正面蒸镀铝膜，所述铝膜的厚度为10nm；

S.3 在表面旋涂PMMA电子束曝光胶；

S.4 进行电子束曝光，显影，得到PMMA纳米孔阵；曝光参数如下：加速电压30KV，面曝光剂量为300μC/cm2，线曝光剂量为1000pC/cm2；所述的显影过程中显影剂为体积比为1-2.5:

8.5的MIBK与IPA混合液，显影时间为60-150秒，定影液为IPA，定影时间15-30秒；

S.5 利用反应离子刻蚀，依次刻蚀铝膜和自支撑薄膜基板；

S.6 利用有机溶剂和铝腐蚀液去除残余的PMMA和铝；所述有机溶剂为氯仿、乙酸、乙酸乙酯、丙酮或苯甲醚中的一种；

S.7 在正面蒸镀金属层；所述金属层为金或者银；

S.8 在背面利用反应离子刻蚀去除自支撑薄膜基板，得到金属纳米孔自支撑薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，其特征是，所述的步骤S.1中自支撑薄膜基板清洗步骤如下：（1）将自支撑薄膜基板浸入丙酮中，超声清洗10-15分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；

（2）然后再将自支撑薄膜基板浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡15-25分钟；

（3）取出后置于水中超声10-15分钟，流水洗净，得到清洁的自支撑薄膜基板。

3.根据权利要求1所述的一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，其特征是，所述的步骤S.2中蒸镀铝膜方法为电子束蒸发、热蒸发或者磁控溅射中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种自支撑金属纳米孔薄膜的制备方法，其特征是，所述的步骤S.3中旋涂PMMA后需要置于200℃热板上烘烤30分钟，PMMA的厚度为100nm。