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专利号: 2018103575846
申请人: 中国矿业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种温度补偿的光子晶体光纤横向应力传感器,其特征在于:光纤包层内存在4个十字型分布超大边孔(5),边孔内镀金纳米薄膜(6),且其一填充磁流体材料(7),小孔(8)呈正八角形分布于纤芯(9)外侧;其配套传感装置由光源部分(1)、横向应力传感器部分(2)、解调部分(3)组成;光源部分用单模光纤将宽带光源的信号引入横向应力传感器中,横向应力传感器部分用于调制光信号,解调部分采用光谱仪解调输出经传感器调制后的光信号。

2.根据权利要求1所述的一种温度补偿的光子晶体光纤横向应力传感器,其特征在于:传感器直径为16μm,其长度为5 10cm;

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其包层中左右两侧4个小空气孔其直径为0.75μm,上下两侧的4个其直径为0.7μm;纤芯直径为0.4μm;4个超大边孔的直径为5μm,在其内侧涂覆金纳米薄膜;上下两侧金纳米薄膜厚度为80nm,左右两侧厚度为50nm。

3.根据权利要求1所述的一种温度补偿的光子晶体光纤横向应力传感器,其特征在于:选择性的单孔磁流体填充使得传感器具有偏振滤波特性,以实现温度补偿的任意方向横向应力传感;其损耗谱会出现三个峰值,基模X偏振态损耗峰出现在1168nm处,Y偏振态不受磁流体影响的损耗峰出现在1218nm处,受磁流体影响的损耗峰出现在1321nm处。

4.根据权利要求1所述的一种温度补偿的光子晶体光纤横向应力传感器,其特征在于:其一大边孔内填入水基 (浓度1.8%)磁流体,其在温度为20℃,磁场为0mT的情况下,折射率为1.3418。