1.一种锑基双结叠层太阳电池，包括硫化锑太阳电池和硒化锑太阳电池，所述的硫化锑太阳电池核心PN结为：依次具有电子传输层、硫化锑吸光层、空穴传输层结构，所述的硒化锑太阳电池核心PN结为：依次具有电子传输层、硒化锑吸光层、空穴传输层结构，其特征是，所述的一种锑基双结叠层太阳电池，根据两个锑化物电池沉积顺序不同，其分为正结构和倒结构，正结构电池依次由玻璃衬底、透明导电薄膜、电子传输层、硫化锑吸光层、空穴传输层、电子传输层、硒化锑吸光层、空穴传输层和金属电极层构成，倒结构电池依次由不锈钢衬底、金属电极层、空穴传输层、硒化锑吸光层、电子传输层、空穴传输层、硫化锑吸光层、电子传输层、透明导电薄膜和金属栅线电极构成，所述的硫化锑太阳电池设置为顶电池，所述的硒化锑太阳电池设置为底电池。

2.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，其特征是，所述的电子传输层为氧化锌薄膜、二氧化钛薄膜或硫化镉薄膜，其厚度为100～800nm。

3.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，其特征是，所述的硫化锑吸光层为非晶态、微晶态、多晶态或单晶态，带隙为1.7～1.9eV，其厚度为200～800nm。

4.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，其特征是，所述的空穴传输层为氧化镍薄膜或氧化钼薄膜，其厚度为50～800nm。

5.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，其特征是，所述的硒化锑吸光层为非晶态、微晶态、多晶态或单晶态，带隙为1.0～1.4eV，其厚度为300～3000nm。

6.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，其特征是，所述的金属电极层和金属栅线为金、银、铜或铝，其厚度为50～500nm。

7.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，其特征是，所述的透明导电薄膜为透明导电氧化物，对正结构电池，采用氧化锌薄膜或二氧化锡薄膜，对倒结构电池，采用氧化铟锡薄膜。

8.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，特征是，当衬底为玻璃时为正结构，其制备方法如下步骤：

1)以玻璃为衬底；

2)采用磁控溅射法或者电子束蒸发法制备透明导电膜；

3)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层；

4)采用低真空快速热蒸发法、高真空热蒸发法、磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硫化锑吸光层；

5)采用旋涂方法或者高真空热蒸发法制备空穴传输层；

6)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层；

7)采用低真空快速热蒸发法、高真空热蒸发法、磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硒化锑吸光层；

8)采用旋涂方法或者高真空热蒸发法制备空穴传输层；

9)采用磁控溅射或者高真空热蒸发方法制备金属电极层。

9.根据权利要求1所述的一种锑基双结叠层太阳电池，特征是，当衬底为不锈钢时，为倒结构，其制备方法如下步骤：

1)以不锈钢为衬底；

2)采用磁控溅射或者高真空热蒸发方法制备金属电极层；

3)采用旋涂方法或者高真空热蒸发法制备空穴传输层；

4)采用低真空快速热蒸发法、高真空热蒸发法、磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硒化锑吸光层；

5)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层；

6)采用旋涂方法或者高真空热蒸发法制备空穴传输层；

7)采用低真空快速热蒸发法、高真空热蒸发法、磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硫化锑吸光层；

8)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层；

9)采用磁控溅射法或者电子束蒸发法制备透明导电膜；

10)用丝网印刷的方法制备金属栅线电极。