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专利号: 2018103632800
申请人: 东北电力大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种锑基双结叠层太阳电池的制备方法,其特征是,当衬底为玻璃时,为正结构,其制备方法如下步骤:

1)以玻璃为衬底;

2)采用磁控溅射法或者电子束蒸发法制备透明导电膜;

3)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;

4)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硫化锑吸光层;

5)采用旋涂方法制备空穴传输层;

6)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;

7)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硒化锑吸光层;

8)采用旋涂方法制备空穴传输层;

9)采用磁控溅射制备金属电极层。

2.一种锑基双结叠层太阳电池的制备方法,其特征是,当衬底为不锈钢时,为倒结构,其制备方法如下步骤:

1)以不锈钢为衬底;

2)采用磁控溅射制备金属电极层;

3)采用旋涂方法制备空穴传输层;

4)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硒化锑吸光层;

5)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;

6)采用旋涂方法制备空穴传输层;

7)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硫化锑吸光层;

8)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;

9)采用磁控溅射法或者电子束蒸发法制备透明导电膜;

10)用丝网印刷的方法制备金属栅线电极。