1.一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物，其

特征在于，如下化学结构式P1所示：

2.一种如权利要求1所述的以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、在惰性气氛中，将2-(三甲基锡)-5-(4-正己基苯基)噻吩(1)，3,7-二溴-S,S-二氧-二苯并噻吩(2)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到3-溴-7-(5-己基-2,2’-二噻吩基)二苯并噻吩-S,S-二氧化物(M1)；

2)、在惰性气氛中，将3-溴-7-(5-己基-2,2’-二噻吩基)二苯并噻吩-S,S-二氧化物(M1)，中间体2,6-二(三甲基锡)-4,8-二(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩(3)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到所述以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物有机半导体材料(P1)；

3.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，所述Stille交叉偶联反应的温度为100-120℃，反应时间为12-72小时。

4.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，3-溴-7-(5-己基-2,2’-二噻吩基)二苯并噻吩-S,S-二氧化物(M1)与中间体2,6-二(三甲基锡)-4,8-二(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩(3)摩尔比为2:1。

5.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，3,7-二溴-S,S-二氧-二苯并噻吩(2)与2-(三甲基锡)-5-(4-正己基苯基)噻吩(1)摩尔比为3:1。

6.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，所述Stille交叉偶联反应在氮气氛围下进行。

7.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，所述Stille交叉偶联反应所用催化剂为四(三苯基膦)钯。

8.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，所述Stille交叉偶联反应所用溶剂为无水N,N-二甲基甲酰胺(DMF)。

9.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤，反应所得中间产物和终产物的粗产物需进行萃取，干燥之后蒸发溶剂，再进行柱层析纯化。

10.根据权利要求9所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，萃取所用溶剂为二氯甲烷，柱层析所用洗脱剂为石油醚和二氯甲烷，体积比为1:2。