1.一种碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料，再利用垂直布里奇曼法进行碲镁镉多晶料的晶体生长；

按照Cd0.95Mg0.05Te的摩尔比，Cd、Mg和Te为制备基础原料，其中的Cd或者Te过量填充，掺杂的元素为In；

垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。

2.根据权利要求1所述的碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，按照Cd0.95Mg0.05Te的摩尔比，先在反应容器中加入Cd、Mg和Te为制备基础原料，再添加过量的Cd或者Te填充反应容器。

3.根据权利要求1或2所述的碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，按占制备基础原料的百分比计，所述的过量的Cd的摩尔分数为0.1％，所述的过量的Te的摩尔分数为

0.5％～1.5％，所述的In的掺杂体积浓度为1～10ppm。

4.根据权利要求1或2所述的碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，所述高温熔融法的真空度为5～6×10-5Pa，温度为1100～1150℃。

5.根据权利要求1或2所述的碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，所述的Cd、Mg和Te的纯度分别为7N、5N和7N，所述的In的纯度为7N。

6.根据权利要求1或2所述的碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，所述的垂直布里奇曼法的晶体生长时间为200～300h。

7.根据权利要求1或2所述的碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，还对晶体生长后得到的单晶材料进行原位退火处理，所述原位退火的退火时间为120～240h，退火温度为

800℃。

8.一种碲镁镉单晶材料，其特征在于，该材料采用权利要求1-7任一权利要求所述的碲镁镉单晶材料的制备方法制备得到。

9.权利要求8所述的碲镁镉单晶材料用于制备核辐射探测器的应用。