1.一种增强非对称传输的单层微纳结构,其特征在于：所述的结构由多个结构相同的周期单元上下、左右连接而成，所有的周期单元位于同一平面内；

所述的周期单元为：周期单元本体上加工有矩形孔和半圆形孔，矩形孔的长边与半圆形孔的直径平行，半圆形孔的圆弧与矩形孔的长边相离或者相切；矩形孔长边与Px方向的夹角α为0～45°。

2.根据权利要求1所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构，其特征在于：所述的周期单元本体是边长为630nm的单层正方形结构，周期单元本体的厚度t＝80nm，矩形孔长边长l＝540～560nm，短边长w＝100～300nm，半圆形孔的直径d＝100～300nm，半圆孔的圆弧顶点与矩形孔之间的垂直距离g＝0～10nm。

3.根据权利要求1所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构，其特征在于：所述的周期单元本体由金材料制作。

4.根据上述权利要求1～3所述的结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备基底：准备ITO玻璃基底并清洗吹干；

S2、涂光刻胶：用甩胶机在步骤1准备好的ITO玻璃基底上涂覆PMMA光刻胶；

S3、涂胶后烘干：将步骤2涂覆PMMA光刻胶的基底放在热板上烘干；

S4、电子束曝光结构图形：用图形发生器设计上述权利要求1、2所述的结构图形，并用电子束曝光图形，得到曝光后的基底；

S5、显影：常温下，将步骤4中曝光好的基底放入显影液中浸泡显影；

S6、定影：将步骤5浸泡显影后的基底放入定影液中浸泡定影，定影完成后将基底取出，用氮气吹干；

S7、定影后烘干：将步骤6浸泡定影后并吹干的基底放在热板上烘干；

S8、镀金：将步骤7定影后烘干的基底放入电子束真空蒸发镀膜机镀金，蒸镀完冷却

10min～20min后再取出；

S9、剥离PMMA光刻胶：采用lift-off工艺，将步骤8真空镀金后的基底泡在丙酮中，时间至少为30min，溶解电子束PMMA光刻胶；

S10、吹干：用氮气枪吹干步骤9得到的剥离PMMA光刻胶后的基底，得到所述实现非对称传输的微纳金属结构。

5.根据权利要求4所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构制备方法，其特征在于：所述的步骤S1中ITO玻璃基底厚度为1.0mm，长×宽为20.0mm×20.0mm，所述的基底放入洗涤液中清洗，用去离子水超声15min后，用丙酮超声15min，再用酒精超声15min，之后用去离子水超声5min，最后用氮气枪吹干后放入氮气柜中备用。

6.根据权利要求5所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构制备方法，其特征在于：所述的步骤S2中光刻胶的厚度为270nm，所述甩胶机的转速为4000rpm，时间为60s。

7.根据权利要求6所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构制备方法，其特征在于：所述的步骤S3和步骤S7中烘干的温度为150℃，时间为3min。

8.根据权利要求7所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构制备方法，其特征在于：所述的步骤S5中浸泡显影的时间为60s。

9.根据权利要求8所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构制备方法，其特征在于：所述的步骤S6中显影液由四甲基二戊酮与异丙醇以体积比为3:1配合制成，浸泡定影的时间为20s。

10.根据权利要求9所述的一种增强非对称传输的单层微纳结构制备方法，其特征在于：所述的步骤S8中真空蒸发镀膜机的真空度不大于3×10-6torr，蒸镀金的厚度为80nm。