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专利号: 2018104118602
申请人: 盐城师范学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-11-07
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种石墨烯透明导电薄膜的等离子体制备方法,包括如下步骤:

(1)将氯化碘、溴化碘或者无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶或三阶石墨插层化合物,使石墨插层化合物在湍流、高温或者亚/超临界流体中进行化学反应,从而高效制备两原子层或者三原子层高质量石墨烯;

(2)采用等离子体氧化技术对双原子层或三原子层厚度的高质量石墨烯材料的外侧进行氧化修饰,得到可分散在常见溶剂中的外修饰石墨烯材料,运用线棒涂膜法与旋涂法制备薄膜后还原,得到高导电率透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述化学反应所处的环境为高速旋转产生的湍流、具备保护气氛的高温环境或者亚/超临界流体环境。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述化学反应种类为溴化碘与水的反应、氯化碘的高温分解或者三氯化铁与双氧水的反应。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述等离子体氧化技术将氧气激发成等离子,然后刻蚀双原子层或三原子层石墨烯外表面进行改性处理。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述外侧进行氧化修饰为制备的双原子层或三原子层石墨烯外表面在等离子体氧化处理下附加了含氧基团。