1.一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、取硬质的导电玻璃基片，并依次用丙酮、酒精和去离子水对其表面进行超声清洗，之后，采用氮气枪对其表面进行吹干，然后，放入臭氧机中进行臭氧处理10 15min，制得~

导电玻璃衬底，备用；

步骤二、按照摩尔比为1:1~3:1的比例，分别取CH3NH3I和PbCl2进行混合制成混合溶质，之后按照混合溶质与溶剂之间0.1  0.3mol/l的配比，向混合溶质中加入N,N‑二甲基甲酰~

胺溶剂，充分搅拌溶解后，将所得混合溶液置于超声波清洗器中，于40 60℃条件下，进行超~

声振荡处理8~14h，制得CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液，备用；

步骤三、将步骤一制得的导电玻璃衬底置于匀胶机中，控制导电玻璃衬底的温度为60℃~70℃，匀胶机转速为2000~3000r/min，在热风辅助下，按照CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液与2

导电玻璃衬底待旋涂面积为30~50µl/cm的配比关系，量取步骤二制得的CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液，旋涂至匀胶机中的导电玻璃衬底表面，然后，将导电玻璃衬底置于真空干燥箱中，于70 130℃温度条件下，进行退火处理8 15min，制得一次旋涂衬底，备用；

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步骤四、采用移液器量取步骤三所取CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液体积0.5%~1.5%的去离子水，滴涂至步骤三制得的处于70 130℃退火氛围中的一次旋涂衬底表面，待滴涂的去离~

子水未2 完全蒸发前，按照CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液与一次旋涂衬底待旋涂面积为30~50µl/cm 的配比关系，另取步骤二制得的CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液，旋涂至一次旋涂衬底表面，制得二次旋涂衬底，然后，将所得二次旋涂衬底于70‑130℃温度条件下，进行退火处理

30 60min，直至二次旋涂衬底表面的液体完全结晶，之后，冷却至室温，即得表面覆盖有具~

有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的导电基片，置于培养皿中密封保存。

2.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤一中，所述的导电玻璃基片为FTO透明导电玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤一中，每次超声清洗的时间为10 15min。

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4.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤三中，旋涂CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液的操作需在20~30s内完成。

5.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤三中，所述热风辅助的热风温度为60‑70℃。

6.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤四中，另取CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液的量与步骤三中所旋涂的CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液的量相同。

7.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤四中，滴涂的去离子水的量为步骤三所取CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液体积的

1%。

8.根据权利要求1所述的一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤四中，另取CH3NH3PbI3‑xClx前躯体溶液进行一次旋涂衬底表面的旋涂时，需控制一次旋涂衬底的温度为60℃ 70℃，匀胶机转速为2000 3000r/min，同时，需进行热风辅~ ~

助，且热风辅助的温度为60‑70℃。