1. 一种光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：首先以InP晶片为基底，通过电化学阳极刻蚀法和湿法刻蚀制备一维InP纳米孔阵列, 然后以一维InP纳米孔阵列为模板，通过电化学沉积法将Cu2O纳米颗粒负载于InP纳米孔阵列内，从而构建InP/Cu2O纳米异质结阵列复合结构。

2.根据权利要求1所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述InP晶片是掺Sn的(100)面n型单晶InP，电化学沉积法中五水硫酸铜为铜源，乳酸作络合剂。

3.根据权利要求1所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于，所述制备一维有序InP纳米孔阵列，步骤如下：一、将掺Sn的(100)面n型单晶InP晶片切割成大小相同的片,将切割好的InP片清洗去除InP片表面的油污，再用去离子水冲洗InP片，之后干燥备用；

二、使用直流磁控溅射法在步骤一获得的InP片背面溅射铟膜，随后在一定温度下进行退火，然后利用高纯度的导电银浆将InP片背面和铜线连接在一起，制备InP电极；

三、将步骤二中的InP电极作为阳极，石墨片为阴极，在阳极和阴极之间接上稳压电源，在设定的氧化电压下电化学刻蚀InP一段时间，制备多孔结构InP；

四、将步骤三中制备的多孔结构InP放入酸性溶液中进行湿法刻蚀，随后再放入去离子水中超声清洗，去除多孔结构InP表面的无序层，获得表面为黑色的有序一维InP 纳米孔阵列。

4. 根据权利要求3所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述构建InP/Cu2O纳米异质结阵列复合结构是指：将有序一维InP 纳米孔阵列作为模板，放入

0.4 M CuSO4 和 3 M 乳酸的混合溶液，在三电极体系下进行Cu2O的电沉积，其中一维InP 纳米孔阵列为工作电极，铂电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，当水浴温度为50℃时，开始电沉积，电沉积在 -0.4 V vs. Ag/AgCl下进行，电沉积结束之后用去离子水冲洗，去除溶液里的杂质。

5.根据权利要求3所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一中清洗是指在丙酮和无水乙醇里超声清洗5～10分钟。

6. 根据权利要求3所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，退火指在N2 气氛中，镀铟膜的InP样片放入化学气相沉积炉中，升温速率为2～5℃/min，升温至350℃，维持 1分钟。

7. 根据权利要求3所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，设定氧化电压为7～8 V，氧化时间为60 s, 刻蚀溶液是2 M的盐酸溶液。

8. 根据权利要求3所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，酸性溶液为纯Hcl和纯H3PO4的混合溶液，Hcl与H3PO4的体积比1:3，湿法刻蚀时间为100 s。

9. 根据权利要求4所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述混合溶液的pH = 10～12，用5 M的NaOH调节溶液的pH。

10.根据权利要求4所述的光解水制氢电池光阳极材料的制备方法，其特征在于：所述电沉积的时间为30～90分钟。