1.一种薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)通过射频溅射法在基底上沉积形成钼薄膜底层；

2)通过直流溅射法在第一钼薄膜层上沉积形成钼薄膜顶层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述钼薄膜底层与钼薄膜顶层的厚度比为1-5:9-5。

3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述钼薄膜底层与钼薄膜顶层的厚度比为1:9、2:8、3:7、4:6或5:5。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)中射频溅射法的溅射功率为150-180W。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)中直流溅射法的溅射功率为80-120W。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)中在射频溅射前对基底进行清洗，所述清洗是采用丙酮、乙醇、水依次清洗。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述双层钼薄膜层的厚度为0.5-1μm。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：射频溅射和直流溅射均在惰性气氛中进行，射频溅射时惰性气氛的气压为0.3-

0.6Pa，直流溅射时惰性气氛的气压为0.1-0.3Pa。

9.一种采用权利要求1所述的方法制得的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜。

10.一种使用权利要求9所述的双层钼薄膜的薄膜太阳能电池。