1.一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，包括第二导电类型掺杂的源区(21)、第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)，第二导电类型掺杂的源区(21)位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)上方，半绝缘区(222)的底部与第二导电类型掺杂的漂移层(12)接触。

2.根据权利要求1的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，第二导电类型掺杂的源区(21)的宽度与第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)的宽度之和相等。

3.根据权利要求1的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，第一导电类型掺杂的基区(22)的深度和半绝缘区(222)的深度一致。

4.根据权利要求1的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

5.根据权利要求1所述的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，第一导电类型掺杂的基区(22)和第二导电类型掺杂的源区(21)宽度比为1：1-3。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，所述的槽栅功率MOS晶体管采用体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅等半导体材料制作。

7.一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于：

A、将第一导电类型的杂质植入到第二导电类型的漂移区(12)内；

B、在第一导电类型掺杂的基区(22)外侧离子注入第二导电类型的杂质元素，形成电中性区域；

C、在形成电中性区域上继续注入两性杂质元素，形成半绝缘区(222)；

D、在半绝缘区(222)和第一导电类型掺杂的基区(22)上注入第二导电类型的杂质，形成第二导电类型掺杂的源区(21)；

E、形成绝缘栅(11)和多晶硅区域(10)；

F、形成槽栅功率MOS晶体管的源极(31)、栅极(32)、漏极(33)三个金属电极。

8.根据权利要求7所述的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，步骤B中注入注入第二导电类型的杂质元素浓度与深度与步骤A中离子注入第一导电类型的杂质保持一致。

9.根据权利要求7所述的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，步骤A和步骤B中杂质的注入是多次离子注入，形成箱式掺杂分布。

10.根据权利要求7所述的一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，第一导电类型掺杂的基区(22)的掺杂浓度为5×1016cm-3～5×1017cm-3之间。