1.带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于由上下叠加的两层介质板构成，上层介质板的上表面铺设有第一金属层及输入馈线，下层介质板的下表面铺设有第二金属层及输出馈线，上下介质板间设有中间金属层；

所述的下层介质板设有贯穿介质板的若干周期性分布第二金属柱，这些金属柱围合成“匚”结构；上层介质板设有贯穿介质板的若干周期性分布第一金属柱，这些金属柱围合的结构为第二金属柱围合结构水平翻转后的结构，大小尺寸相同；且呈“匚”结构水平翻转后的若干第一金属柱两臂与呈“匚”结构的若干第二金属柱两臂位置重合，即重合部分的第一金属柱、第二金属柱上下设置；

上述第一、二金属柱同时分别贯穿第一、二金属层；

上层介质板、第一金属层、若干第一金属柱、中间金属层构成了第一个HMSIW谐振腔；下层介质板、第二金属层、若干第二金属柱、中间金属层构成了第二个HMSIW谐振腔；

所述的中间金属层设有两列耦合槽，每列设有三个耦合槽；左侧第一列耦合槽从上至下命名为第一至三耦合槽，右侧第一列耦合槽从上至下命名为第四至六耦合槽；位于队列中间位置的第二、第五耦合槽分别设置在第一、二HMSIW谐振腔的TE101模式电场最强的位置；第一、三耦合槽设置在第一HMSIW谐振腔的TE201模式电场最强的位置，第四、六耦合槽设置在第二HMSIW谐振腔的TE201模式电场最强的位置；

所述的输入馈线、输出馈线分别位于第一、二HMSIW谐振腔的虚拟磁壁侧。

2.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于所述的输入馈线与第一HMSIW谐振腔的虚拟磁壁中间位置的最短距离ti，影响输入端的外部耦合系数；输出馈线与第二HMSIW谐振腔的虚拟磁壁中间位置的最短距离to，影响输出端的外部耦合系数。

3.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于第一、二HMSIW谐振腔的大小决定TE101、TE201模式的谐振频率。

4.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于第一、二金属柱的直径d满足条件:d＜0.2λ，其中λ是谐振模式波长；相邻金属柱间的距离P需满足条件P<2*d，以防止谐振腔电磁能量泄露。

5.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于第二、五耦合槽的尺寸面积主要影响TE101模式的耦合强度，第一、三、四、六耦合槽的尺寸面积主要影响TE201模式的耦合强度。

6.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于双频带滤波器采用双层PCB板叠加工艺或LTCC工艺。

7.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于当HMSIW谐振腔的TE101和TE201模式同时工作，两个HMSIW谐振腔的TE101模式构成第一个通带，两个HMSIW腔的TE201模式构成第二个通带。

8.如权利要求1所述的带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于两个HMSIW谐振腔的TE101和TE201模式同时工作，两个谐振腔以上下叠加的方式，通过垂直混合电磁耦合形成双频带滤波器，两个谐振腔的TE101模式构成第一通带，两个谐振腔的TE201模式构成第二通带，垂直耦合是通过中间金属层的耦合槽实现，改变耦合槽的大小可以改变混合电磁耦合强度，中间金属层的第二、五耦合槽主要控制第一个通带的耦合强度，中间金属层的第一、三、四、六耦合槽主要控制第二个通带的耦合强度，通带带宽可独立控制。