1.一种高光电转换效率Sn2Nb2O7光阳极，其特征在于，所述的高光电转换效率Sn2Nb2O7光阳极是，首先利用磁控溅射的方法在导电基底上附着一层Sn2Nb2O7薄膜，再通过溶胶-凝胶法在Sn2Nb2O7薄膜上浸渍Sn2Nb2O7胶体，再通过电泳沉积法在浸渍Sn2Nb2O7胶体的Sn2Nb2O7薄膜上沉积Sn2Nb2O7粉体，最后在氮气环境下经高温退火处理制得。

2.权利要求1所述的一种高光电转换效率Sn2Nb2O7光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)利用磁控溅射的方法在导电基底上附着一层Sn2Nb2O7薄膜：安装Sn2Nb2O7靶材和FTO基底，导电层面向靶材，采用射频溅射的方式，调整靶材与基底的间距，对磁控溅射镀膜设备的溅射腔室进行抽真空处理，至本底气压为1.7×10-4Pa；设定射频电源功率，调整溅射腔室气压为2.5Pa，溅射过程中的气压保持在2.5Pa，FTO不加热，并设置沉积时间；将制得的附着一层Sn2Nb2O7薄膜的FTO基底密封保存；

2)通过溶胶-凝胶法在Sn2Nb2O7薄膜上浸渍Sn2Nb2O7胶体：将适量的NbCl5粉末溶于无水乙醇中，搅拌均匀，加入适量的SnO，继续搅拌，再加入微量聚乙二醇，搅拌后获得溶胶-凝胶；将步骤1)制备的附着一层Sn2Nb2O7薄膜的FTO基底浸渍到获得的溶胶-凝胶中，停留，提拉，在室温条件下晾干；在管式炉中，在氮气环境下退火处理，得到浸渍Sn2Nb2O7胶体的附着一层Sn2Nb2O7薄膜的FTO基底；

3)通过电泳沉积法在浸渍Sn2Nb2O7胶体的Sn2Nb2O7薄膜上沉积Sn2Nb2O7粉体：将适量的Sn2Nb2O7粉末和I2超声震荡于丙酮中，得电泳沉积的悬浮液；将步骤2)制备的浸渍Sn2Nb2O7胶体的附着一层Sn2Nb2O7薄膜的FTO基底与一个清洗干净的FTO基底插入到电泳沉积的悬浮液中，并在两电极间施加一定的直流电压，沉积设定的时间后，切断电流，将电极从悬浮液中取出，在室温条件下晾干，在管式炉中，在氮气环境下退火处理，得到Sn2Nb2O7光电极薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，调整靶材与基底的间距为

5-6cm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，设定射频电源功率为50W，设置沉积时间为2h。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，将步骤1)制备的附着一层Sn2Nb2O7薄膜的FTO基底浸渍到获得的溶胶-凝胶中，停留2min，提拉速度为1mm/s。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，退火处理温度为400℃，焙烧时间为60min。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，在两电极间施加20V的直流电压，沉积时间为1min。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，退火处理温度为500℃，焙烧时间为90min。

9.权利要求1所述的高光电转换效率Sn2Nb2O7光阳极在光电化学分解水中的应用。