1.一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器，包括：介质层，其特征在于，所述介质层上还依附设置有亚波长金属阵列的超材料层，所述亚波长金属阵列包含多个开口圆形谐振环(1)和开口方形谐振环(2)组成的谐振结构单元，通过谐振结构单元产生的类EIT峰的平移量来衡量传感器的灵敏度。

2.根据权利要求1所述的一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，在太赫兹波激励下，开口圆形谐振环表现为“亮”模式，具有大Q值，而开口方形谐振环表现为“暗模式”，具有小Q值，当两谐振环组合，两间距为80.0-85.0μm时，亮暗模相互耦合，产生破坏性干涉，实现了类EIT效应，在谐振点附近产生了尖锐的透射峰，提高了器件的Q值，当金属层上分别覆盖一层不同浓度的分析物时，太赫兹波通过器件的透射谱出现明显的偏移现象，利用类EIT效应产生的尖锐透射峰频率在单位折射率变化内平移的量来衡量传感器的灵敏度。

3.根据权利要求1所述的一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述超材料层沿着x、y方向周期性排列，开口圆形谐振环(1)和开口方形谐振环(2)的开口数都为1个。

4.根据权利要求1所述的一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述介质层材料为高阻硅、聚酰亚胺、石英晶体中的一种，厚度为50.0-

100.0um，亚波长金属阵列的超材料层为金属层，其材料为为金、银、铜中的一种，厚度为

3.0-5.0μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述圆形开口谐振环(1)外半径r2为34.0μm，内半径r1为18.0μm，开口g为24.0μm。所述方形开口谐振环(2)的长l1＝32.0μm，l2＝32.0μm，宽w1＝20.0μm，w2＝16.0μm。