1.基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将硅基置于在实验台架上，调节激光的入射角度；

步骤二：打开激光发射器，完成一次聚焦点部位的加工；

步骤三：重复步骤二，使其能够加工硅基内部的不同位置，达到加工复杂空腔的目的。

2.根据权利要求1所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤一中所用硅基具有初步的空腔结构。

3.根据权利要求1或2所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤一中所用硅基为抛光6-in(100)n型硅晶片。

4.根据权利要求1所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤一中调节激光的入射角度的具体方法为：打开多个激光发射器，调整飞秒激光的发射方向，使多个激光发射器发射的激光在硅基内部空间中聚焦到一点，关闭激光发射器。

5.根据权利要求1所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤二的具体步骤为：同时打开所有激光发射器，利用多束激光照射硅基，在硅基内部产生的超声波在空间聚焦到一点，声能转化为热能，经合适时间后，在聚焦点完成对硅基空腔的加工。

6.根据权利要求5所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤二中激光波长为532nm，脉冲持续时间为120fs，功率为75mw，激光点大小为8μm。

7.根据权利要求1所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤三的具体步骤为：通过调节激光发射器的入射角度设计特定的聚焦点运动轨迹，完成对硅基内部其他位置的加工，达到硅基内部微结构复杂成型的目的。

8.根据权利要求1所述的基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法，其特征在于，所述步骤三的具体步骤为：通过调整硅基在实验平台上的位置，使激光发射器的聚焦点与硅基内部其它待加工点重合，利用激光照射硅基完成对硅基其他位置的加工，进而达到在硅基内部形成复杂空腔的目的。