1.一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，其特征在于，包括谐振腔(1)，输入输出波导(5)和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔(1)连接的金属柱A(2)；在所述谐振腔(1)的顶部与每一个所述金属柱A(2)对应设置有一个金属凹坑(4)；每一个所述金属柱A(2)嵌入与之对应设置的所述金属凹坑(4)内。

2.根据权利要求1所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，还包括与每一个金属柱A(2)相对应的，只在顶部与所述谐振腔(1)连接的金属柱B(3)；所述金属柱B(3)的横截面与所述金属柱A(2)的横截面不同。

3.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱A(2)为圆柱体。

4.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱B(3)为金属筒。

5.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱A(2)嵌入所述金属柱B(3)内部。

6.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱A(2)为矩形体。

7.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，与所述每一根金属柱A(2)对应有两根矩形金属柱B(3)。

8.根据权利要求7所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述每一根所述金属柱A(2)嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B(3)之间。

9.根据权利要求1-8所述的任意一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述带凹坑的波导低通谐波抑制器相对于任意水平面上下都不对称。