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专利号: 2018104948815
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-08-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种宽带F类功率放大器,包括栅极偏置电路、晶体管和漏极偏置电路;其特征在于:还包括带通输入匹配电路、π型谐波控制网络和低通输出匹配电路;所述晶体管的输入端接栅极偏置电路的电压输出端,输出端接漏极偏置电路的电压输出端;

所述的带通输入匹配电路包括第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线;第二输入微带线的一端接第一输入微带线的一端,另一端接第三输入微带线、第四输入微带线的一端及接晶体管的输入端;第一输入微带线、第二输入微带线及第四输入微带线的另一端均悬空;

第一输入微带线的特征阻抗值Z1=ω0·L1;第二输入微带线的特征阻抗值第三输入微带线的特征阻抗值Z3=ω0·L2;第四输入微带线的特征阻抗值其中,

g1、g2的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中查取;g1为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第二个参数;g2为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第三个参数;

FBW=(ω2‑ω1)/ω0; ω1=2πf1;ω2=2πf2;f1为设计带宽的下极限值;f2为设计带宽的上极限值;R0=(VDS‑VGS)/I;VDS为漏极偏置电路输出的电压值;VGS为栅极偏置电路输出的电压值;I为晶体管的电流值;

所述的π型谐波控制网络包括第一谐波微带线、第二谐波微带线、第三谐波微带线和第四谐波微带线;第二谐波微带线的一端接第一谐波微带线的一端,另一端接第三谐波微带线的一端;第三谐波微带线的另一端接第四谐波微带线的一端;第一谐波微带线及第四谐波微带线的另一端均悬空;第二谐波微带线靠近第一谐波微带线的那端接晶体管的输出端;

低通输出匹配模块包括第1输出微带线、第2输出微带线、……、第n输出微带线;n为三的倍数,且小于36;第1输出微带线的一端接π型谐波控制网络内第三谐波微带线靠近第四谐波微带线的那端,另一端接第2输出微带线及第3输出微带线的一端;第2输出微带线及第

3输出微带线的另一端均悬空;

第3j+1输出微带线靠近π型谐波控制网络的那端接第3j‑2输出微带线远离π型谐波控制网络的那端;第3j+1输出微带线远离π型谐波控制网络的那端接第3j+2输出微带线及第

3j+3输出微带线的一端;第3j+2输出微带线及第3j+3输出微带线的另一端均悬空,j=1,

2,…,n/3‑1;

在i=1,2,…,n/3的情况下,第3i‑2输出微带线的特征阻抗值 第3i‑1输出微带线的特征阻抗值Z3i‑1′=第3i输出微带线的特征阻抗值Z3i′=ω0′·Li′;

其中, 为设计带宽的中心频率;Ci′的取值与Li′的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中查取;查取方法为:在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中找到目标行,即 阶对应的那行;目标行的第2i‑1个参数为Ci′的取值,第2i个参数为Li′的取值。

2.根据权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器,其特征在于:所述第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线的电长度均为λ/8。

3.根据权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器,其特征在于:所述第一谐波微带线的电长度为λ/8,第四谐波微带线的电长度为λ/12。

4.根据权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器,其特征在于:所述第1输出微带线、第2输出微带线、……、第n输出微带线的电长度均为λ/8。

5.如权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器的设计方法,其特征在于:步骤一:在ADS软件中设计栅极偏置电路及漏极偏置电路,得到一个偏置在B类或者AB类功率放大器;

步骤二、在ADS软件中设计带通输入匹配电路和低通输出匹配电路;

步骤三:在ADS软件中设计π型谐波控制网络;

步骤四:在ADS软件中将调试好的带通输入匹配电路、低通输出匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、π型谐波控制网络和晶体管组合起来构成宽带F类功率放大器;得到原理图;进入步骤五;

步骤五:在ADS软件中将步骤四所得原理图导出形成版图;再进行版图、原理图联合仿真;若版图、原理图联合仿真所得F类功率放大器的效率值在设计带宽内均大于70%,则直接进入步骤六;若版图、原理图联合仿真所得的F类功率放大器的效率值在设计带宽内出现小于或等于70%的情况,则调整F类功率放大器π型谐波控制网络中第二谐波微带线和第三谐波微带线的电长度,并重复步骤四;

步骤六:根据步骤五所得的版图加工出F类功率放大器。