1.一种阻变层自选通阻变存储器，其特征在于，包括堆叠层；所述堆叠层包括自外而内依次设置的第四Hf层、第四Si3N4层、第三Hf层、第三Si3N4层、第二Hf层、第二Si3N4层、第一Hf层和第一Si3N4层；所述堆叠层的左右两侧分别设置有底电极和顶电极；所述底电极与第四Si3N4层、第三Si3N4层和第二Hf层连通并设置在第二Hf层的上表面；所述顶电极与整个堆叠层连通并设置在第一Si3N4层的上表面。

2.根据权利要求1所述的阻变层自选通阻变存储器，其特征在于，所述阻变层自选通阻变存储器包括多个并排设置堆叠层；所述顶电极为位线；所述为字线。

3.根据权利要求1所述的阻变层自选通阻变存储器，其特征在于，第一Si3N4层的厚度为

15～25nm；第一Hf层的厚度为90～110nm；第二Si3N4层和第二Hf层的厚度为15～25nm；第三Si3N4层的厚度为15～25nm；第三Hf层的厚度为90～110nm；第四Si3N4层和第四Hf层的厚度为15～25nm。

4.一种如权利要求1-3任意一项所述阻变存储器的构建方法，其特征在于，包括步骤如下：

1)在衬底上沉积第一Si3N4层；

2)在第一Si3N4层上沉积第一Hf层，然后进行光刻和lift-off处理；

3)在第一Hf层上依次沉积第二Si3N4层、第二Hf层；

4)在第二Hf层上沉积第三Si3N4层，按步骤2)、3)的方法在第三Si3N4层上沉积第三Hf层、第四Si3N4层和第四Hf层，最终得到堆叠层；

5)通过光刻和刻蚀形成第一孔洞；第一孔洞从第四Hf层刻蚀到第二Si3N4层，第一孔洞的一个侧边与第一Hf层、第三Hf层的一个侧边平齐，并将第一Hf层、第三Hf层的一侧完全腐蚀掉，以暴露出第一Hf层和第三Hf层；在氧气气氛、250～350℃的环境中进行5～15min退火处理；氧气从所述第一孔洞进入，对暴露在第一孔洞内壁的第一Hf层、第三Hf层进行渐进氧化，形成自限制的HfOx阻变区；

6)填充第一孔洞，得到单元cell的顶电极或三维阵列交叉结构的位线；

7)通过电子束曝光和干法刻蚀，在第一孔洞的另一侧开孔得到第二孔洞，以使第三Si3N4层暴露在第二孔洞；将重掺杂的n+Si填充到第二孔洞中，作为单元cell的底电极或三维阵列交叉结构的字线。

5.根据权利要求4所述的阻变存储器的构建方法，其特征在于，三维阵列交叉结构通过增加堆叠层的层数或增加并行的堆叠层形成；在所述步骤2)中，形成一个以上所述第一Hf层；多个第一Hf层之间留有间隔；

所述步骤5)中，第一孔洞的刻蚀发生在多个第一Hf层之间的间隔区，孔洞直径为间隔距离；

所述步骤7)中，第二孔洞的刻蚀发生在多个第一Hf层之间的间隔区，孔洞直径等于间隔距离。

6.根据权利要求4所述的阻变存储器的构建方法，其特征在于，所述步骤1)中，在衬底上沉积第一Si3N4层通过CVD方法实现；所述步骤4)中，在第二Hf层上沉积第三Si3N4层通过CVD方法实现；述步骤2)中，在第一Si3N4层上沉积第一Hf层通过直流溅射方法实现；第二Si3N4层通过CVD方法沉积，第二Hf层通过溅射沉积。

7.根据权利要求4所述的阻变存储器的构建方法，其特征在于，所述步骤7)中，重掺杂的标准是n-type,1～2×1019cm-3。

8.根据权利要求4所述的阻变存储器的构建方法，其特征在于，所述步骤6)中，第一孔洞中填充的是Pt圆柱形电极；将Pt圆柱形电极填充到所述第一孔洞中的实现方法为，电子束蒸发和lift-off工艺或者直流溅射和lift-off工艺。

9.根据权利要求4所述的阻变存储器的构建方法，其特征在于，所述步骤6)中的三维阵列交叉结构的位线和所述步骤7)中的三维阵列交叉结构的字线均为十字交叉状。

10.一种如权利要求1-3任意一项所述阻变存储器的工作方法，其特征在于，包括步骤如下：a)在微纳米尺度，从顶电极或位线一端施加电压；

b)当施加负电压时，耗尽区扩展，形成夹断效应，阻止载流子通过；

c)当施加正电压时，耗尽区收缩，减小电子通过HfOx阻变区的势垒；势垒与外加电场的同步变化形成自整流特性。