1.一种NiO/SiC异质发射结结构，其特征在于：包括p-NiO发射区(6)，紧邻p-NiO发射区(6)的下方为n-SiC短基区(5)，p-NiO发射区(6)与n-SiC短基区(5)上下相接。

2.根据权利要求1所述的NiO/SiC异质发射结结构，其特征在于：所述的p-NiO发射区(6)的材料为p型NiO，厚度为0.1μm-3.0μm，上下端表面积为1μm2-2000cm2；

n-SiC短基区(5)的材料为n型SiC，厚度为0.1μm-3.0μm，上下端表面积为1μm2-2000cm2。

3.一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：包括衬底(1)，该衬底(1)的材料为n型SiC；

在衬底(1)上表面制作有n-SiC缓冲层(2)，该n-SiC缓冲层(2)的材料为n型SiC；

在n-SiC缓冲层(2)上表面制作有p-SiC缓冲层(3)，该p-SiC缓冲层(3)的材料为p型SiC；

在p-SiC缓冲层(3)上表面制作有p-SiC长基区(4)，该p-SiC长基区(4)的材料为p型SiC；

在p-SiC长基区(4)上表面制作有n-SiC短基区(5)，该n-SiC短基区(5)的材料为n型SiC；

在n-SiC短基区(5)上表面制作有p-NiO发射区(6)，p-NiO发射区(6)分为多个凸台，每个凸台的侧壁为平面，该p-NiO发射区(6)的材料为p型NiO；

还包括绝缘介质薄膜(7)，绝缘介质薄膜(7)覆盖在p-NiO发射区(6)的各个凸台侧壁、各个凸台之间的n-SiC短基区(5)上表面；

在p-NiO发射区(6)的各个凸台上端面覆盖有阳极(8)；

在衬底(1)下端面覆盖有阴极(9)。

4.根据权利要求3所述的含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的衬底(1)的厚度为100μm-1mm，该衬底(1)的上下端表面积为1μm2-2000cm2；

n-SiC缓冲层(2)的厚度为0.1μm-3.0μm，该n-SiC缓冲层(2)的上下端表面积为1μm2-

2000cm2；

p-SiC缓冲层(3)的厚度为0.1μm-3.0μm，该p-SiC缓冲层(3)的上下端表面积为1μm2-

2000cm2；

p-SiC长基区(4)的厚度为0.1μm-300μm，该p-SiC长基区(4)的上下端表面积为1μm2-

2000cm2；

n-SiC短基区(5)的厚度为0.1μm-3.0μm，上下端表面积为1μm2-2000cm2；

p-NiO发射区(6)的厚度为0.1μm-3.0μm，上下端表面积为1μm2-2000cm2。

5.根据权利要求3所述的含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的绝缘介质薄膜(7)厚度为0.1μm-2μm。

6.根据权利要求3所述的含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的阳极(8)由阳极金属与阳极压焊块组成，阳极压焊块覆盖在阳极金属的上表面，厚度为

0.1μm-100μm。

7.根据权利要求3所述的含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的阴极(9)由阴极金属与阴极压焊块组成，阴极压焊块覆盖在阴极金属的下端面，厚度为

0.1μm-100μm。

8.根据权利要求3所述的含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的p-NiO发射区(6)的各个凸台为叉指结构、平行长条状、圆环形、正方形或渐开线形台面之一，或其组合形状，各凸台的间距为0.1μm-1cm，各凸台的高度为0.1μm-5.9μm，各凸台的高度不小于p-NiO发射区(6)的厚度。