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专利号: 2018105292042
申请人: 西安工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法,其特征在于,依次包括下述步骤:a、基片的准备:裁割ITO或TFT玻璃制成基片,按照常规处理方法得到洁净光滑的基片,放入充满氩气的手套箱中;

b、反应溶液的制备:在充满氩气的手套箱中,将碘化汞(HgI2)粉末加入到HI酸中,适度搅拌后形成浓度范围为0.2 0.6g/L的溶液反应体系,溶液配好后继续搅拌0.5 1h后结束;

~ ~

c、液相沉积:将洁净的基片水平放入容器底部的溶液中进行沉积生长;将容器放在平板电极间,基片位置置于电极板高度方向的中心,电极间电压设定形成24 72V/cm开始沉~积;沉积过程中,生长环境温度为20 30℃,沉积时间72 120h;关闭静电场电源,将剩余残液~ ~从称量瓶中移出;然后取出生长好的基片,此时基片上有已有一层红色的多晶碘化汞籽晶层;

d、籽晶层处理:将多晶碘化汞籽晶层置于在氩气气氛下恒温干燥1 2h,然后在真空条~件下保存。