1.单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；

步骤2，离子注入SiC晶片表面，

确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值后分次进行注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；

步骤3，机械去除晶片表面，

将离子注入完成的晶片置于抛光机中，转动过程中，SiC表面与金刚石磨料相对运动，机械抛光去除晶片离子注入的表面层，即成。

2.根据权利要求1所述的单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，其特征在于，所述步骤1中确认研磨后的晶片表面粗糙度一般为25nm～110nm之间。

3.根据权利要求1所述的单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，其特征在于，所述步骤2中离子注入能量值与离子注入深度呈比例关系。

4.根据权利要求2所述的单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，其特征在于，所述步骤2中选定晶片表面粗糙度对应的能量值后，以对应的能量值的为最大值，并依次减小能量值分次注入。

5.根据权利要求4所述的单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，其特征在于，所述依次减小能量值分次注入具体为选择3-5组依次减小的能量值对晶片表面进行注入。