1.一种SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法，其特征在于，所述三相两电平变换器包括三相桥臂，每相桥臂的上桥开关管和下桥开关管均为SiC MOSFET，每相桥臂采用相同的死区设置方法，所述死区设置方法包括以下步骤：获取每相桥臂中点的输出电流；

判断所述输出电流的极性，并根据所述输出电流的极性确定该相桥臂上桥开关管和下桥开关管的主动性；

获取所述SiC MOSFET及其驱动板的参数信息，并根据所述参数信息计算前置死区时间和后置死区时间；

将主动开关管开通前的死区时间设定为N倍的所述前置死区时间，其中，1.5

设置电流上限值和电流下限值，并根据所述电流上限值和所述电流下限值计算最小死区时间和最大死区时间；

将所述输出电流的绝对值与所述电流上限值的绝对值和所述电流下限值的绝对值进行比较，并根据比较结果将主动开关管关断后的死区时间设定为所述后置死区时间、所述最小死区时间或所述最大死区时间，其中，根据所述输出电流的极性确定该相桥臂上桥开关管和下桥开关管的主动性，具体包括：如果所述输出电流的极性为正，则将上桥开关管确定为主动开关管，并将下桥开关管确定为互补开关管；

如果所述输出电流的极性为负，则将下桥开关管确定为主动开关管，并将上桥开关管确定为互补开关管，所述SiC MOSFET及其驱动板的参数信息包括所述SiC MOSFET的输入电容Ciss、门槛电压Vth、母线电压Vdc下的输出电容电荷Qoss(Vdc)、驱动电阻Rg、驱动电压最大值Vgsmax及最小值Vgsmin，根据以下公式计算所述前置死区时间Td,ahead和所述后置死区时间Td,after：其中，i为所述输出电流，

根据以下公式计算所述最小死区时间Tmin和所述最大死区时间Tmax：其中，Imax为所述电流上限值，以所述最小死区时间Tmin为N倍的所述前置死区时间为依据进行设置，Imin为所述电流下限值，以所述最大死区时间Tmax不大于所述三相两电平变换器正常工作所允许的最大值为依据进行设置，根据比较结果将主动开关管关断后的死区时间设定为所述后置死区时间、所述最小死区时间或所述最大死区时间，具体包括：如果输出电流i满足|Imin|≤|i|≤|Imax|，则将主动开关关断后的死区时间设定为Td,after；

如果输出电流i满足|i|＞|Imax|，则将主动开关关断后的死区时间设定为Tmin；

如果输出电流i满足|i|＜|Imin|，则将主动开关关断后的死区时间设定为Tmax。