1.一种银铟镓硒薄膜，包括衬底，其特征在于，所述衬底的表面上依次涂覆有Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层；

Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层的厚度分别为0.6-0.8微米，

0.8-1.0微米，0.2-0.4微米；

所述银铟镓硒薄膜的制备方法，包括：

研磨步骤：分别将Ag2Se块体、Ga2Se3块体及In2Se3块体进行研磨，分别得到Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒；

配置浆料步骤：分别将Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒溶解于酒精中，分别得到Ag2Se浆料、Ga2Se3浆料及In2Se3浆料；

涂覆步骤：在衬底的表面上采用旋转涂布的方式依次涂覆Ag2Se浆料、Ga2Se3浆料及In2Se3浆料，使得在衬底的表面依次形成Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层；

加热及退火处理步骤：将涂覆后的衬底在惰性气体环境中进行加热及退火处理，具体过程为：0-15min，加热温度由室温升高到580℃；15-120min，保持580℃；120-140min，温度降至200℃，得到银铟镓硒薄膜。

2.根据权利要求1所述的银铟镓硒薄膜，其特征在于，Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层的总厚度为1.6-2.2微米。

3.根据权利要求1所述的银铟镓硒薄膜，其特征在于，Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层的厚度分别为0.7微米，0.9微米，0.3微米。

4.根据权利要求1所述的银铟镓硒薄膜，其特征在于，所述衬底为镀有Mo的玻璃基底。

5.一种根据权利要求1-4任意一项所述银铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

研磨步骤：分别将Ag2Se块体、Ga2Se3块体及In2Se3块体进行研磨，分别得到Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒；

配置浆料步骤：分别将Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒溶解于酒精中，分别得到Ag2Se浆料、Ga2Se3浆料及In2Se3浆料；

涂覆步骤：在衬底的表面上采用旋转涂布的方式依次涂覆Ag2Se浆料、Ga2Se3浆料及In2Se3浆料，使得在衬底的表面依次形成Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层；

加热及退火处理步骤：将涂覆后的衬底在惰性气体环境中进行加热及退火处理，具体过程为：0-15min，加热温度由室温升高到580℃；15-120min，保持580℃；120-140min，温度降至200℃，得到银铟镓硒薄膜。

6.根据权利要求5所述所述银铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒的平均粒径小于2微米。

7.根据权利要求5所述所述银铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，配置浆料步骤中，Ag2Se浆料的浓度为每克酒精中含有3-5mgAg2Se纳米颗粒，Ga2Se3浆料的浓度为每克酒精中含有3-5mgAg2Se纳米颗粒，In2Se3浆料的浓度为每克酒精中含有3-5mgAg2Se纳米颗粒。

8.一种根据权利要求1-4任意一项所述银铟镓硒薄膜的应用，其特征在于，该银铟镓硒薄膜在光伏电池中的应用。

9.根据权利要求8所述银铟镓硒薄膜的应用，其特征在于，所述光伏电池的制备方法，包括：研磨步骤：分别将Ag2Se块体、Ga2Se3块体及In2Se3块体进行研磨，分别得到Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒；配置浆料步骤：分别将Ag2Se纳米颗粒、Ga2Se3纳米颗粒及In2Se3纳米颗粒溶解于酒精中，分别得到Ag2Se浆料、Ga2Se3浆料及In2Se3浆料；涂覆步骤：在衬底的表面上采用旋转涂布的方式依次涂覆Ag2Se浆料、Ga2Se3浆料及In2Se3浆料，使得在衬底的表面依次形成Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层；加热及退火处理步骤：将涂覆后的衬底在惰性气体环境中进行加热及退火处理，具体过程为：0-

15min，加热温度由室温升高到580℃；15-120min，保持580℃；120-140min，温度降至200℃，得到银铟镓硒薄膜；CdS制作步骤：采用CBD的方式在银铟镓硒薄膜上制备一层CdS；窗口层制作步骤：采用MOCVD的方式在CdS上制作窗口层；具体过程如下：首先在MOCVD设备的腔体内通入Zn的金属有机物和水，二者反应生成i-ZnO，待厚度达到50nm之后，增加B的化合物，三者发生反应生成ZnO：B；其中，i-ZnO中i的含义是指没有掺杂的条件下获得的ZnO；ZnO：B是指掺杂有B的ZnO；Al栅极制作步骤：采用蒸发的方式在窗口层上沉积Al栅极，得到光伏电池。