1.二氧化硅包覆掺镱铒三氟化钆带套带型纳米带的制备方法，其特征在于，采用单轴静电纺丝技术与氟化技术相结合的方法，使用聚乙烯吡咯烷酮PVP为高分子模板剂，采用N,N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂，氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，活性碳粒为辅助还原剂，制备产物为[GdF3:10％Yb3+,0.5％Er3+]@SiO2带套带型纳米带，其步骤为：(1)配制纺丝液

钆源、镱源和铒源分别使用的是氧化钆Gd2O3、氧化镱Yb2O3和氧化铒Er2O3，硅源使用的是正硅酸乙酯TEOS，高分子模板剂采用聚乙烯吡咯烷酮PVP，采用N,N-二甲基甲酰胺DMF为

3+ 3+ 3+

溶剂，称取0.6905g Gd2O3、0.0839g Yb2O3和0.0041g Er2O3，其中Gd :Yb :Er 的摩尔比为

0.895:0.100:0.005，用硝酸HNO3溶解后蒸干，得到Gd(NO3)3、Yb(NO3)3和Er(NO3)3的混合物，加入7.8000g DMF、0.6000g TEOS和1.6800g PVP，于室温下磁力搅拌6h，并静置2h，形成纺丝液；

(2)制备PVP/[Gd(NO3)3+Yb(NO3)3+Er(NO3)3+TEOS]原始复合纳米带采用单轴静电纺丝技术，将纺丝液注入一支带有1mL塑料喷枪头的10mL注射器中，将一根铜线插入纺丝液中并与高压直流电源的正极接线柱相连，喷枪头与水平面的夹角为30°，以垂直放置的铁丝网作为接收装置并接地，用另一根铜线将铁丝网与高压直流电源的零电势接线柱相连，喷枪头与接收屏铁丝网的距离为16cm，纺丝电压为13kV，室内温度为20-25℃，相对湿度为20％-40％，进行静电纺丝，随着溶剂的挥发，在铁丝网上即可得到PVP/[Gd(NO3)3+Yb(NO3)3+Er(NO3)3+TEOS]原始复合纳米带；

(3)制备[GdF3:10％Yb3+,0.5％Er3+]@SiO2带套带型纳米带

氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，活性碳粒为辅助还原剂，将氟化氢铵放入坩埚中，上面覆盖活性碳粒，将所述的PVP/[Gd(NO3)3+Yb(NO3)3+Er(NO3)3+TEOS]原始复合纳米带放在活性碳粒上面，盖上坩埚盖子后放入管式炉中，以1℃/min的升温速率升温至700℃并保温4h，再以1℃/min的降温速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到[GdF3:10％Yb3+,

0.5％Er3+]@SiO2带套带型纳米带，宽度为3.85±0.06μm，厚度为133nm，长度大于50μm，在

980nm的二极管激光器激发下，[GdF3:10％Yb3+,0.5％Er3+]@SiO2带套带型纳米带具有绿色和红色上转换发光，[GdF3:10％Yb3+,0.5％Er3+]@SiO2带套带型纳米带的磁化强度为

1.52emu·g-1。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅包覆掺镱铒三氟化钆带套带型纳米带的制备方法，其特征在于，高分子模板剂为分子量Mr＝90000的聚乙烯吡咯烷酮PVP。