1.一种提高LLC谐振电路电压输入范围的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在LLC谐振电路的LLC变压器T1的次级输出端设置多个绕组分别形成第一输出回路和第二输出回路；

通过第一MOS管Q1的导通或断开实现切换第一输出回路或第二输出回路作为输出端；

设置信号控制电路，以根据前级功率因数校正电路输出的电压VOPFC控制所述第一MOS管Q1接通第一输出回路或者第二输出回路至输出端；

所述LLC谐振电路包括第一芯片U1、第一MOS管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、LLC变压器T1、信号控制电路和LLC反馈电路，其中，所述LLC变压器T1的次级输出端至少设置4个绕组分别形成第一输出回路和第二输出回路，所述信号控制电路与第一MOS管Q1的栅极相连接，用于根据前级功率因数校正电路输出的电压VOPFC控制所述第一MOS管Q1接通第一输出回路或者第二输出回路至输出端；所述LLC反馈电路用于反馈输出端电压信号至第一芯片U1；

所述第一输出回路工作时中，LLC变压器T1的第四脚与第一二极管D1的正端相连，LLC变压器T1的第六脚与第二二极管D2的正端相连，所述第一二极管D1的负端、第二二极管D2的负端、第三电容C3的一端相连共同作为输出正端，所述第三电容C3的另一端与LLC变压器T1的第五脚相连接作为输出负端；

所述第二输出回路工作时中，LLC变压器T1的第三脚与第四二极管D4的正端相连，LLC变压器T1的第七脚与第五二极管D5的正端相连，所述第四二极管D4的负端、第五二极管D5的负端、第一MOS管Q1的漏极相连接，第一MOS管Q1的源极与第三电容C3的一端相连共同作为输出正端，所述第三电容C3的另一端与LLC变压器T1的第五脚相连接作为输出负端；

第一芯片U1的第一引脚与第一二极管D1的正端、12V电压端相连接，所述第一二极管D1的负端与第一芯片U1的第十四引脚、第一电容C1的一端相连接，所述第一电容C1的另一端与第一芯片U1的第十三引脚、第二电容C2的一端相连接，所述第二电容C2的另一端与LLC变压器T1初级绕组的第一脚相连接，第一芯片U1的第八引脚与LLC变压器T1初级绕组的第二脚、第五电阻R5的一端相连接，所述第五电阻R5的另一端与第一芯片U1的第十引脚相连共同与输入负端相连接；第一芯片U1的第十六引脚与第一电阻R1的一端相连共同与输入正端相连接，所述第一电阻R1的另一端与第三电阻R3的一端、第一芯片U1的第五引脚相连接，所述第三电阻R3的另一端与第一芯片U1的第四引脚、第四电容C4的一端相连接，所述第四电容C4的另一端与、第一芯片U1的第六引脚、LLC反馈电路的输出端相连接；

所述第一芯片U1采用LCS702芯片。

2.根据权利要求1所述的提高LLC谐振电路电压输入范围的方法，其特征在于，所述信号控制电路进一步包括第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第二芯片U2、第三芯片U3和基准源VREF；其中，所述第二芯片U2为比较器，所述第三芯片U3为光耦芯片。

3.根据权利要求1或2所述的提高LLC谐振电路电压输入范围的方法，其特征在于，所述第一MOS管Q1采用A类P沟道MOS场效应晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的提高LLC谐振电路电压输入范围的方法，其特征在于，所述LLC反馈电路采用光耦芯片实现。