1.一种Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料，其特征在于：所述Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料中单层Cu薄膜相变材料和单层SnSe薄膜相变材料交替堆叠排列。

2.根据权利要求1所述的Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述单层Cu薄膜相变材料的厚度为0.5-5nm，单层SnSe薄膜的厚度为0.5-5nm，所述Cu/SnSe多层复合相变薄膜总厚度为50～130nm。

3.根据权利要求1或2所述的Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述Cu/SnSe多层复合相变薄膜的结构符合下列通式：[Cu(a)nm/SnSe(b)nm]x，式中a、b分别表示所述的单层Cu薄膜和单层SnSe薄膜的厚度，a为单层Cu薄膜相变材料的厚度，b＝为单层SnSe相变材料的厚度，x表示单层Cu和单层SnSe薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数；

相变薄膜的总厚度由x与所述单层Cu和单层SnSe薄膜的厚度计算所得，即[(a+b)*x](nm)。

4.一种制备权利要求1-3所述的任一Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的方法，其特征在于，所述的Cu/SnSe多层复合相变薄膜采用磁控溅射方法制备，衬底采用Si基片，溅射靶材为Cu和SnSe，溅射气体为Ar气。

5.根据权利要求4所述的制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的方法，其特征在于，所述的Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的制备过程包括以下步骤：

1)清洗Si基片；

2)安装溅射靶材；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；

3)采用室温磁控溅射方法制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料；

a)将空基托旋转到Cu靶位，打开Cu靶上的射频电源，依照设定的溅射时间对Cu靶材表面进行溅射，清洁Cu靶位表面；

b)Cu靶位表面清洁完成后，关闭Cu靶位上所施加的射频电源，将空基托旋转到SnSe靶位，开启SnSe靶上的射频电源，依照设定的溅射时间对SnSe靶材表面进行溅射，清洁SnSe靶位表面；

c)SnSe靶位表面清洁完成后，将待溅射的基片旋转到Cu靶位，打开Cu靶位上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Cu薄膜；

d)Cu薄膜溅射完成后，关闭Cu靶上所施加的射频电源，将基片旋转到SnSe靶位，开启SnSe靶位射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射SnSe薄膜；

e)重复c)和d)两步，即在Si基片上制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料。

6.根据权利要求4所述的制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的方法，其特征在于，所述的Cu和SnSe靶材的纯度在原子百分比99.999％以上，本底真空度不大于2×10-5Pa。

7.根据权利要求4所述的制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的方法，其特征在于，所述的Cu和SnSe靶材溅射采用射频溅射电源，且溅射功率为55-65W。

8.根据权利要求4所述的制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的方法，其特征在于，所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％以上，气体流量为15-30SCCM，溅射气压为0.4～

0.55Pa。

9.根据权利要求4所述的制备Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料的方法，其特征在于，所述的Cu/SnSe多层复合相变薄膜的厚度通过溅射时间来调控。

10.根据权利要求1-3任一Cu/SnSe多层复合相变薄膜材料在相变存储器中的应用。