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专利号: 2018106226476
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.三维宽带吸波式频率选择结构,为周期性结构,其特征在于每个结构单元包括吸波通道和传输通道,具体包括从上至下依次设置的第一金属面、第三介质基片、第三金属面、第四介质基片、第四金属面;

在第一金属面和第三介质基片间设有空气层,该空气层内依次设置第一介质基片、第二介质基片和作为反射面的第二金属面,且第一、二介质基片与第二金属面均垂直于第三介质基片,第二介质基片位于通带场强约最强的位置上;

所述的第一介质基片作为入射面的外侧面设有第一金属导线,第一金属导线的一端连接第一金属面,另一端连接第三介质基片的微带线;其中第一金属导线上焊接有电容C1、第一电阻;

所述的第二介质基片靠近第一介质基片的一侧设有两条相同的第二金属线,第二金属线的一端连接第一金属面,另一端连接第三介质基片的金属化过孔;第二金属线为断线结构,断线部位设有凸起;第二金属线等效于电容C2;

所述的第三介质基片下表面设有第三金属面,上表面设有微带线;微带线的一端连接第二金属面,另一端连接第一金属导线;微带线上靠近第二金属面位置焊接有第二电阻;第三介质基片设有第一金属化过孔,该金属化过孔两端分别连接第二金属线和第三金属面;

所述的第四介质基片的下表面设有第四金属面,且设有周期性分布的若干非金属化过孔,以及位于通带场强最小位置的第二金属化过孔;该非金属化过孔和第二金属化过孔两端分别连接第三金属面和第四金属面;

所述的吸波通道由第一金属面、电容C1、第一电阻、第二电阻、第二金属面、第三介质基片、第三金属面,以及第一、二金属导线和微带线组成;

所述的传输通道由第三金属面、第四介质基片和第四金属面组成。

2.如权利要求1所述的三维宽带吸波式频率选择结构,其特征在于第二金属线断线间的空隙距离以及凸起高度影响电容C2的大小。

3.如权利要求1所述的三维宽带吸波式频率选择结构,其特征在于第三、四介质基片长短相同,厚度不同。

4.如权利要求1所述的三维宽带吸波式频率选择结构,其特征在于空气层高度ha、第二电阻的阻值影响带宽。

5.如权利要求1所述的三维宽带吸波式频率选择结构,其特征在于电容C2影响通带的相对位置。

6.如权利要求1所述的三维宽带吸波式频率选择结构,其特征在于电磁波进入吸波通道后,由于第二金属面的存在,电磁波被反射形成回路,并在微带线以及第一、二金属导线上形成感应电流,形成的电流被第一电阻和第二电阻所消耗,从而实现吸波的效果;第三金属面和第四金属面组成的下层平行板是一个开放式的谐振器,在其谐振频率附近生成通带;在第四介质基片通带场强最小位置设有第二金属化过孔,相当于一个电感Lp,故而引入一个谐振频率,通过改变电感的大小以及相关参数,将通带的范围拓宽。

7.如权利要求1所述的三维宽带吸波式频率选择结构,作为隐身天线罩上的应用。