1.一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法，其特征在于，所述椭偏测试方法包括步骤：(a)采用椭偏分析仪测试样品A，得到样品A的Ψ(A)-λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B，得到样品B的Ψ(B)-λ曲线；

(b)基于第一性原理密度泛函方法，得到样品A富硼层中，SiB6晶体的光学性质，并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析，求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数；

(c)将样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)-λ曲线，通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。

2.如权利要求1所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述A片的制备步骤包括：(I)采用标准的RCA法清洗双面抛光硅片；

(II)HF水溶液去除双面抛光硅片表面原生氧化层；

(III)对硅片进行硼扩散处理，制得含有富硼层的样品；

(IV)用HF水溶液去除样品的硼硅玻璃层得到A片。

3.如权利要求1所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述B片的制备步骤包括：(i)采用标准的RCA法清洗双面抛光硅片；

(ii)HF水溶液去除双面抛光硅片表面原生氧化层；

(iii)对硅片进行硼扩散处理制得含有富硼层的样品即B片。

4.如权利要求2或权利要求3所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述的硼扩散处理包括步骤：预沉积、和推进。

5.如权利要求4所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述的预沉积包括：将除双面抛光硅片表面原生氧化层的硅片放入扩散炉内进行加热，并通入氮气和硼源。

6.如权利要求5所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述的预沉积处理中，加热温度为

700-900℃、沉积时间为10-60分钟、氮气的流量为1400-1600sccm、硼源的流量为50-

90sccm。

7.如权利要求2或3所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述HF水溶液的为8-15vt％的HF水溶液。

8.如权利要求1所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述椭偏分析仪的光源选自下组：卤钨灯的白光源、氙放电灯的白光源、激光器的单色光源或其组合。

9.如权利要求5所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述的硼源选自下组：B2H6、BBr3、BCl3、BN、H3BO3或其组合。

10.如权利要求2或3所述的椭偏测试方法，其特征在于，所述硼扩散处理后，富硼层硼

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原子浓度＞10 atoms/cm。