1.石墨烯条带异质结双栅TFET，包括顶栅、底栅、栅氧化层、源区、漏区和沟道，其特征在于：所述的源区、漏区和沟道位于顶部栅氧化层及底部栅氧化层之间；底栅位于底部的栅氧化层下方，顶栅位于顶部的栅氧化层上方，且顶栅和底栅在长度方向上均与沟道对齐设置；源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；源区、漏区和沟道的宽度相等；所述的沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的石墨烯纳米条带的原子结构与沟道二段的扶手椅型石墨烯纳米条带的原子结构在延伸方向上成一夹角。

2.根据权利要求1所述的石墨烯条带异质结双栅TFET，其特征在于：所述的栅氧化层采用SiO2材料。

3.根据权利要求1所述的石墨烯条带异质结双栅TFET，其特征在于：所述的石墨烯条带异质结是有带隙的单层石墨烯纳米条带。

4.根据权利要求1所述的石墨烯条带异质结双栅TFET，其特征在于：所述的夹角为30°。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的石墨烯条带异质结双栅TFET来提升开关特性的方法，其特征在于：该方法具体如下：关态情况下，沟道一段沿器件长度方向表现为扶手椅型石墨烯纳米条带，与沟道二段及源、漏区条带为同宽且同性质的条带，此时，沟道一段区域存在带隙，区域态密度为0，起到抑制关态电流的作用；开态情况下，沟道内有电流，沟道一段沿电流传输方向表现为锯齿型石墨烯条带，此时，沟道一段区域内无带隙，促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应，提升开态电流。