1.一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料，其特征在于，其化学计量式为xwt％Bi2O3-(100-x)wt％(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2，其中，x＝2；

当频率在103-104Hz时，其介电常数大于25000，介电损耗在0.015-0.017之间。

2.根据权利要求1所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，将Bi2O3的粉体和(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2陶瓷粉体混合配料，球磨、烘干后，经预烧和成型后，在1350-1500℃下保温2-6h烧结成瓷，得到超低介电损耗高介电常数的陶瓷介电材料。

3.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2陶瓷粉体通过以下方法制得：按照化学式(Eu0.5Nb0.5)

0.01Ti0.99O2，将氧化铕、氧化铌和二氧化钛经球磨、烘干后在1200℃保温2h，制得(Eu0.5Nb0.5)0.01Ti0.99O2陶瓷粉体。

4.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，预烧的温度为1100-1200℃，时间为2-3h。

5.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，球磨为湿法球磨，球磨介质是无水乙醇，球石为二氧化锆球石。

6.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，球磨的球磨时间是4-6h。

7.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，烘干的烘干温度是40-60℃。

8.根据权利要求2所述的超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，成型的工艺指冷等静压工艺。