1.一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)按照质量份数，将α-氧化铝90-95份，烧结助剂0.5-0.7份，金属量子点复合物2.7-

2.9份，氯化镝0.04-0.07份，氧化钴0.17-0.22份，氧化钐0.06-0.09份，氧化铋0.24-0.28份，混合均匀后，加入到球磨机中，球磨混合，然后加入6-7份聚乙烯醇，继续球磨混合后造粒；

所述金属量子点复合物的制备方法为：

首先，按照质量份数，将2份醋酸铟，7份丁酸、80份十八碳烯加入到真空反应釜中，以

113-118℃的温度保温反应1-1.5h，然后向反应釜内充入氮气气氛保护，并加入3份三(三甲基甲硅烷基)膦和6份三辛基膦，以182-188℃的温度保温反应25-30min，反应结束后冷却至室温，过滤，用足量的甲醇溶剂清洗，并离心、干燥得到沉淀物A；

接着，将3份乙酸锌，6份油酸和100份戊基胺加入到真空反应釜中，以114-119℃的温度反应17-20min，然后充入氮气气氛保护，并加入2.5份三辛基膦和10份量子点，以187-193℃的温度继续反应15-22min，然后将产物冷却至室温，过滤用足量甲醇溶剂清洗，并离心、干燥得到沉淀物B；

最后，将沉淀物A和沉淀物B混合加入到150份氯仿中分散均匀，然后向分散系中加入14份苯乙烯-马来酸酐共聚物和8份六亚甲基二胺，在60-65℃的温度下混合搅拌1.5-2h，并超声波处理15-20min，产物过滤后将沉淀物用足量甲醇溶剂清洗，干燥后得到所需金属量子点复合物；

(2)将上步骤的颗粒物以100-115MPa的压力压制成坯型，送入到惰性气氛保护的高温烧结炉中进行高温烧结，烧结过程中首先以400-480℃的温度进行排胶，然后以1600-1650℃的温度烧结，得所需陶瓷基材；

(3)将硫化镉、硒化镉、氯化镉和氯化钕按照100:40:30:1的质量比混合均匀，然后将混合物用无水乙醇进行分散，分散液喷涂于陶瓷基材表面，然后将陶瓷基材送入到烧结炉中，以550-650℃的温度高温固化处理1-2h，在陶瓷基材表面形成光敏层；

(4)将光敏电阻芯片模块装入到陶瓷基材内槽中，用环氧树脂胶粘剂固定，然后在光敏层表面形成Sn电极，将镀锡铜引线装入到陶瓷基材中，并在芯片模块和电极之间涂布导电银浆，电连接芯片模块和引线，完成光敏电阻的组装；

(5)对组装完成的光敏电阻采用密封胶进行封装。

2.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述步骤(1)的烧结助剂中含有氧化镁、氧化钇、氧化锆和氯化镧。

3.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述量子点为SnTe、InNP和ZnSe按照4:2:1的质量比混合的混合物。

4.根据权利要求3所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述混合物中的SnTe量子点，可由ZnSeTe、ZnSTe和CdZnTe量子点进行等量替代使用。

5.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述步骤(2)中高温烧结炉采用电加热的方式作为热源，高温烧结炉的烧结过程中使用的保护气氛为氦气或氩气。

6.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述步骤(3)中陶瓷基材表面固化后的光敏层厚度为3-4μm。

7.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述光敏层的固化温度为590-620℃。

8.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述步骤(4)中Sn电极采用真空镀膜的方式形成。

9.根据权利要求1所述的一种提高光敏电阻灵敏度的方法，其特征在于：所述步骤(5)中光敏电阻封装使用的密封胶为高透明度的二甲基硅氧烷密封胶。