1.一种金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列，其特征在于：包括：Si衬底、位于Si衬底上的Ni/Au金属阵列和p电极连接线、位于Ni/Au金属阵列上的nano-LED阵列、位于nano-LED阵列上的n型GaN层、位于n型GaN层上的Ti/Au金属层；其中nano-LED阵列自下而上包括：Ni/Au金属层、位于Ni/Au金属层上的Ag金属层、位于Ag金属层上的p型GaN层、位于p型GaN层上的InGaN/GaN量子阱层、位于InGaN/GaN量子阱层上的n型GaN层；所述Ni/Au金属阵列包括下方的Ni金属阵列和上方的Au金属阵列；所述Ti/Au金属层包括下方的Ti金属阵列和上方的Au金属阵列；每个nano-LED单体有单独的p接触，所有nano-LED单体共用一个n接触；所述Ag金属层在阵列中构成Ag金属光子晶体，利用光子禁带和金属表面等离激元的性质增强发光效率，Ag金属阵列的直径为140nm、周期为800nm，其中表面等离激元由Ag金属层产生；中间部分为倒装结构，利用Ag金属光子晶体的反射镜作用减少了底部衬底的吸收；所述nano-LED阵列与Ag金属光子晶体周期保持一致、且两者的直径相同；所述nano-LED阵列与Si衬底上的Ni/Au金属阵列周期保持一致、且直径相同。

2.一种基于权利要求1所述金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤101、在Si衬底上利用金属有机化合物化学气相沉淀技术相继生长Ni金属层和Au金属层，通过等离子体刻蚀技术形成Ni/Au阵列和p电极连接线；

步骤102、在蓝宝石衬底上利用金属有机化合物化学气相沉淀技术相继生长n型GaN层、量子阱层、p型GaN层、Ag金属层、Ni金属层、Au金属层；所述量子阱层为InGaN和GaN的交替结构；

步骤103、通过等离子体刻蚀法刻蚀Au金属层至n型GaN层厚度的1/3位置，形成nano-LED阵列；

步骤104、利用倒装技术和金属键合技术将nano-LED阵列与Si衬底上的Ni/Au金属阵列一对一键合；

步骤105、剥离此时位于最上面位置的蓝宝石衬底，利用金属有机化合物化学气相沉淀技术在n型GaN层上相继生长Ti金属层和Au金属层，形成n电极。

3.根据权利要求2所述金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列的制造方法，其特征在于：所述步骤103中，制备含有金属光子晶体的nano-LED阵列的具体步骤为：步骤1031、在Au金属层上表面旋涂光刻胶；

步骤1032、以光刻胶做掩膜版，通入刻蚀气体，其中刻蚀气体体积比：BCl3:Cl2:Ar＝6:

3:20，刻蚀时长为220秒；

步骤1033、利用等离子体刻蚀法刻蚀周期为800nm、直径为140nm的阵列；

步骤1034、去胶。

4.根据权利要求2所述金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列的制造方法，其特征在于：所述步骤101具体为：

步骤1011、在Si衬底上利用金属有机化合物化学气相沉淀技术生长8nm的Ni层；

步骤1012、在Ni金属层上利用金属有机化合物化学气相沉淀技术生长2nm的Au层；

步骤1013、在Au层上旋涂光刻胶；

步骤1014、利用光刻胶制作掩膜版，通入刻蚀气体，其中刻蚀气体体积比：BCl3:Cl2:Ar＝6:3:20，刻蚀时长为10秒；

步骤1015、通过等离子体刻蚀技术刻蚀出周期为800nm、直径为140nm的Ni/Au阵列和宽为70nm的p电极连接线。