1.一种传播路径水平分布的ZnO/碳纳米线敏感材料，其特征在于，所述敏感材料包括网状碳纳米线及依次设置在网状碳纳米线表面的ZnO薄膜、ZnO纳米晶和电极材料；

所述ZnO薄膜和/或ZnO纳米晶掺杂Al，其中ZnO薄膜的厚度为2-8nm，ZnO纳米晶的粒径为2-50nm。

2.根据权利要求1所述的敏感材料，其特征在于，所述网状碳纳米线呈网格状向四周无限延伸。

3.根据权利要求2所述的敏感材料，其特征在于，所述网格是边长为600-4500nm的正方形。

4.根据权利要求1所述的敏感材料，其特征在于，所述碳纳米线的直径为500-900nm。

5.根据权利要求1所述的敏感材料，其特征在于，所述电极材料为Au、Ag或导电胶中的至少一种。

6.一种制备权利要求1-5中任一项所述的ZnO/碳纳米线敏感材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)配制前驱体溶液，进行静电纺丝，制得网状前驱体纤维；

(2)将步骤(1)的网状前驱体纤维进行碳化，得到网状碳纳米线；

(3)在步骤(2)的网状碳纳米线表面生长ZnO薄膜，得到网状ZnO/碳纳米线；

(4)在步骤(3)的网状ZnO/碳纳米线表面生长ZnO纳米晶，得到ZnO纳米晶修饰的网状ZnO/碳纳米线；

(5)在步骤(4)ZnO纳米晶修饰的网状ZnO/碳纳米线表面涂覆电极材料，制得ZnO/碳纳米线敏感材料；

所述步骤(1)中，前驱体溶液为聚丙烯腈(PAN)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、氮氮二甲基甲酰胺(DMF)的混合溶液；

所述前驱体溶液的制备工艺如下：将PAN、PVP、DMF按重量比为8-1:1-9:0.05-0.5混合，在60-100℃下加热搅拌8-16h；

所述ZnO薄膜的生长条件为：将步骤(2)制得的网状碳纳米线放入ZnO溶液中，于80-120℃下在碳纳米线表面沉积生长一层ZnO薄膜，并在80-100℃干燥15-30min；所述ZnO纳米晶的生长条件为：将步骤(3)制得的网状ZnO/碳纳米线用提拉机固定，置于ZnO溶胶凝胶溶液中，以1-3mm/min的速率提拉1-3次，自然干燥后放入电阻炉中，在200-600℃下退火10-

120min。

7.一种高敏度传感器，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的敏感材料及其四周引出的导线。