1.一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：所述高压双向瞬态电压抑制器包括P衬底(101)、N型埋层(102)、P阱(103)、第一N型中掺杂区(104)、第二N型中掺杂区(105)、第一N+注入区(106)、第一P+注入区(107)、第二P+注入区(108)、第三P+注入区(109)、第二N+注入区(110)和金属线；其中，在P衬底(101)的表面区域设有N型埋层(102)，P衬底(101)的左侧边缘与N型埋层(102)的左侧边缘相连，N型埋层(102)的右侧边缘与P衬底(101)的右侧边缘相连；

在N型埋层(102)的表面区域设有P阱(103)，N型埋层(102)的左侧边缘与P阱(103)的左侧边缘相连，P阱(103)的右侧边缘与N型埋层(102)的右侧边缘相连；

在P阱(103)的表面区域从左至右依次设有第一N+注入区(106)、第一N型中掺杂区(104)、第二P+注入区(108)、第二N型中掺杂区(105)和第二N+注入区(110)，第二P+注入区(108)横跨在第一N型中掺杂区(104)与第二N型中掺杂区(105)之间；

在第一N型中掺杂区(104)的表面区域设有第一P+注入区(107)，在第二N型中掺杂区(105)的表面区域设有第三P+注入区(109)；

所述金属线用于连接注入区，并从金属线中引出两个电极，用作所述高压双向瞬态电压抑制器的电学应力终端。

2.如权利要求1所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：所述金属线与注入区的连接方式为：第一N+注入区(106)与第一金属1(201)相连，第一P+注入区(107)与第二金属1(202)相连，第三P+注入区(109)与第三金属1(203)相连，第二N+注入区(110)与第四金属1(204)相连；

第一金属1(201)和第二金属1(202)均与第一金属2(205)相连，从第一金属2(205)引出第一电极(206)，用作器件的第一电学应力终端；

第三金属1(203)和第四金属1(204)均与第二金属2(207)相连，从第二金属2(207)引出第二电极(208)，用作器件的第二电学应力终端。

3.如权利要求1或2所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：第二P+注入区(108)用于降低器件的触发电压，第一N型中掺杂区(104)和第二N型中掺杂区(105)不仅能延长器件内部SCR电流泄放路径，还能通过调节第一N型中掺杂区(104)与第二N型中掺杂区(105)之间的距离，控制器件的电压回滞幅度，提高维持电学特性，确保增强器件的抗闩锁能力。

4.如权利要求1或2所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：第一N+注入区(106)、第一P+注入区(107)、第二P+注入区(108)、第三P+注入区(109)、第二N+注入区(110)、第一N型中掺杂区(104)、第二N型中掺杂区(105)呈中心轴对称排列，器件结构呈中心轴对称，且在两个电学应力终端之间施加正、反向电学应力，器件的电学特性相同，确保高压双向瞬态电压抑制器具有双向ESD防护或抗浪涌作用。

5.如权利要求3所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：第一N+注入区(106)、第一P+注入区(107)、第二P+注入区(108)、第三P+注入区(109)、第二N+注入区(110)、第一N型中掺杂区(104)、第二N型中掺杂区(105)呈中心轴对称排列，高压双向瞬态电压抑制器的结构呈中心轴对称，且在两个电学应力终端之间施加正、反向电学应力，器件的电学特性相同，确保高压双向瞬态电压抑制器具有双向ESD防护或抗浪涌作用。

6.如权利要求1、2或5所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：由第一N+注入区(106)、P阱(103)与第二N+注入区(110)构成的NPN型BJT，用于削弱SCR结构中的正反馈程度，确保增强器件的抗闩锁能力。

7.如权利要求3所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：由第一N+注入区(106)、P阱(103)与第二N+注入区(110)构成的NPN型BJT，用于削弱SCR结构中的正反馈程度，确保增强器件的抗闩锁能力。

8.如权利要求4所述的一种高压双向瞬态电压抑制器，其特征在于：由第一N+注入区(106)、P阱(103)与第二N+注入区(110)构成的NPN型BJT，用于削弱SCR结构中的正反馈程度，确保增强器件的抗闩锁能力。