1.一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述神经突触网络采用双电层突触晶体管的n×n阵列形式分布，即每行每列都有n个双电层突触晶体管；所述的双电层突触晶体管，包括由下至上的柔性衬底、透明导电层、氧化钨栅介质层、沟道层及源漏电极；每行晶体管的透明导电层并联，每列晶体管的漏极并联，源极串联电容后接地；在栅极施加正电压时，栅介质层中的质子将迁移到靠近沟道侧，并与沟道层中带负电的电子形成双层导电层，使源漏极之间导通；在栅极施加负电压时，栅介质层中的质子将远离沟道侧，双层导电层消失，源漏极之间断开；源漏极之间导通时，对其源极串联的双耦合电容充电，电容通过保存电压值实现对信息的记忆存储；利用电容充电保持电压值以实现信息存储的原理，在采用双电层突触晶体管的n×n阵列形式分布的网络中实现并联逻辑运算及信息存储功能。

2.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述的柔性衬底为透明塑料。

3.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述的透明导电层为ITO栅极，厚度为100nm～500nm。

4.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述的沟道层为IZO，厚度为20～50nm。

5.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述的源极和漏极采用Au、Ag或Al导电金属材料，厚度为200～500nm。

6.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述的氧化钨栅介质层的厚度为500‑1000nm。

7.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，所述的每行晶体管的透明导电层并联后形成B端，B端连接正或负电压；正电压记为1、负电压记为0；所述的每列晶体管的漏极并联后形成A端，A端连接电源；通电记为1、断电记为0。

8.如权利要求1所述的一种具有记忆功能的神经突触网络，其特征在于，，n值大于等于

2，小于等于100。