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专利号: 2018107446280
申请人: 广西大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,由上而下依次包括以下结构:石英玻璃、透明导电层、ZnO纳米线层、阴极、绝热隔热垫、阳极。

2.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,所述的透明导电层为ITO、AZO或FTO导电玻璃。

3.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,应用激光分子束外延和沉积系统将ZnO纳米线形成在透明导电层上。

4.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,所述阴极由上而下依次包括以下结构:AlN缓冲层、INAlN渐变吸收层和InN发射层。

5.根据权利要求4所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,应用激光分子束外延和沉积系统依次沉积阴极的AlN缓冲层、INAlN渐变吸收层和InN发射层,最初的窗口层用AlN靶材来沉积,然后应用In靶材沉积得到INAlN层和InN层。

6.根据权利要求1、4或5所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,所述阴极为InxAl1-xN叠层结构,其中x由上而下从0逐渐增大到1。

7.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,所述绝热隔热垫采用O型垫圈,其厚度为0.1~3mm。

8.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,所述阳极为金刚石薄膜阳极。

9.根据权利要求8所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构,其特征在于,所述金刚石薄膜阳极由热丝CVD法制备而成。

10.一种太阳电池的InxAl1-xN叠层结构阴极的制备方法,其特征在于,将已生长好ZnO纳米线层的透明导电层作为衬底放入激光分子束外延和沉积系统中,环形In靶套在圆形AlN靶的外面,构成一个组合靶;

开启一路激光照射圆形AlN靶,产生AlN羽辉,AlN沉积在衬底上,形成组分渐变的太阳能薄膜电池阴极的第一层,AlN缓冲层;

开启两路激光分别照射圆形AlN靶和环形In靶,同时产生AlN羽辉和In羽辉,形成InAlN沉积在衬底上,得到阴极的中间层,InAlN渐变吸收层;

开启一路激光照射圆形靶材的环形周围,同时向脉冲激光沉积系统的超高真空反应室中通入氮气、氨气或等离子氮源,在N等离子体气体氛围下,产生In羽辉,形成InN沉积在衬底上,得到InN发射层。