1.为无线传感器供电的压电电磁复合俘能器能量管理电路，由压电俘能器能量收集电路、电磁俘能器能量收集电路、充电电路和能量感知接口电路组成，其特征在于：所述的压电俘能器能量收集电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电感L1和芯片U1；芯片U1的引脚Vin和CAP分别接电容C1两端，引脚Vin和地之间串联接入电容C2，引脚Vin2和地之间串联接入电容C3，引脚SW接电感L1一端，引脚VOUT接电感L1另一端及电容C4的一端；电容C4另一端接地；

芯片U1的引脚VOUT输出电压VYD，引脚GND接地；芯片U1的型号为LTC3588-1时，引脚D1接入引脚Vin2，引脚D0接地，VYD＝3.3V；芯片U1的型号为LTC3588-2时，引脚D0和D1均接入引脚Vin2，VYD＝5V；

所述的电磁俘能器能量收集电路包括四倍压整流模块、RC-π型滤波模块、肖特基二极管D6和DC-DC升压稳压模块；

所述的四倍压整流模块由肖特基二极管D2、D3、D4、D5和电容C5、C6、C7、C8组成；电容C6的一端接肖特基二极管D2的负极及肖特基二极管D3的正极；肖特基二极管D3的负极接肖特基二极管D4的正极和电容C7的一端；电容C5的一端与电容C6未接肖特基二极管D3的那端连接；

电容C5的另一端接肖特基二极管D4的负极和肖特基二极管D5的正极；肖特基二极管D5的负极接电容C8的一端；电容C7和C8的另一端均接肖特基二极管D2的正极并接地；

所述的DC-DC升压稳压模块由电容C11、C12、电感L2、肖特基二极管D7和DC-DC升压转换芯片U2组成；所述DC-DC升压转换芯片U2的型号为LT1300；DC-DC升压转换芯片U2的引脚Vin和地之间接入电容C11，引脚Vin和SW分别接电感L2的两端，引脚FB接电容C12的一端及肖特基二极管D7的负极，芯片U1的型号为LTC3588-1时，引脚SEL接地，引脚FB输出电压VDC＝3.3V，芯片U1的型号为LTC3588-2时，引脚SEL接引脚Vin，引脚FB输出电压VDC＝5V，引脚SHOD和llim均悬空，引脚GND和PGND均接地；DC-DC升压转换芯片U2的引脚SW接二极管D7的正极；电容C12的另一端接地；DC-DC升压转换芯片U2的引脚FB输出电压VDC；

所述的RC-π型滤波模块由电容C9、C10和电阻R1组成；电阻R1一端接电容C9一端及肖特基二极管D5的负极，电阻R1另一端接电容C10一端及肖特基二极管D6的负极；电容C9另一端、电容C10另一端及肖特基二极管D6的正极均接地；

所述的充电电路包括二极管D1、二极管D8和超级电容C13；压电俘能器能量收集电路的输出电压VYD通过二极管D1接超级电容C13的正极；电磁俘能器能量收集电路的输出电压VDC通过二极管D8接超级电容C13的正极；超级电容C13的负极接地；

所述的能量感知接口电路包括电压监测芯片U3和NMOS管；所述电压监测芯片U3的型号为LTC2935-1；引脚S2、S1、S0为输入电压门限选择位，将其连接至GND或引脚VCC以获得所需要的复位门限VON；复位门限VON为3.0V、3.15V或3.3V；电压监测 芯片U3的引脚 接电阻R2一端，引脚 接电阻R3一端，引脚VCC接电阻R2另一端及R3另一端，引脚MR接NMOS管的基极，引脚GND接地；电压监测 芯片U3的引脚S2、S1及S0接引脚GND或引脚VCC；NMOS管的栅极接地。

2.根据权利要求1所述的为无线传感器供电的压电电磁复合俘能器能量管理电路，其特征在于：电容C1＝1μF，C2＝10μF，C3＝4.7μF，C4＝47μF，C5＝6.8μF，C6＝6.8μF，C7＝6.8μF，C8＝6.8μF，C9＝47μF，C10＝47μF，C11＝100μF，C12＝100μF；超级电容C13＝220μF，额定电压为

5V；电感L1＝10μH，L2＝10μH；电阻R2＝10KΩ，R3＝10KΩ；D6为10V稳压管。