1.一种葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，以乙二醇甲醚作为溶剂，以乙醇胺作为稳定剂，以二水合氯化亚锡作为锡源，以葡萄糖作为还原剂，将上述物质混合，并搅拌均匀，在真空氩气环境下加热，陈化，即获得溶胶，将溶胶进行镀膜处理，退火后即得到p型氧化亚锡薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1.将乙二醇甲醚、二水合氯化亚锡、乙醇胺按照(10～11)：(0.15～0.2)：(0.7～1)的摩尔比混合，然后加入葡萄糖，搅拌至澄清，得到混合液；

S2.将混合液移至真空管式炉中，抽真空并充入氩气，在60℃条件下加热60min，加热完毕后继续在氩气气氛中陈化24h，制得溶胶；

S3.处理基片，并将基片固定在匀胶机上；

S4.在步骤S3的基片上滴加若干滴步骤S2制得的溶胶，利用匀胶机进行旋凃甩胶，得到一层镀膜，将该层镀膜先干燥，再冷却；

S5.重复步骤S4直至镀膜的层数达到要求的层数，即得到薄膜试样；

S6.将薄膜试样移至真空管式炉中，抽真空并通入氩气，进行退火处理，退火完成后自然冷却，即制得p型氧化亚锡薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤S3中，基片依次用重铬酸钾、丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声波清洗，重铬酸钾、丙酮、无水乙醇清洗一次，去离子水清洗两次。

4.根据权利要求2所述的葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，所述基片为绝缘SiO2/Si基片，基片的尺寸为10mm×10mm，基片上的SiO2的厚度为500nm。

5.根据权利要求2所述的葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤S4中，先以1000r/min旋转匀胶机12s，再以3000r/min旋转匀胶机30s，进行旋凃甩胶。

6.根据权利要求2所述的葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤S6中，退火的温度为600℃，退火的时间为30min。

7.根据权利要求6所述的葡萄糖还原制备p型氧化亚锡薄膜材料的方法，其特征在于，所述退火处理过程中加热到200℃时，暂时保温15min。