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专利号: 2018107764531
申请人: 成都信息工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 控制;调节
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路,其特征在于,包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第六三极管(Q6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一电阻(R1)、第二电阻(RS)和第三电阻(RC),第一三极管(Q1)的基极连接第二PMOS管(MP2)的漏极并通过第一电阻(R1)后连接第一三极管(Q1)的集电极和第二三极管(Q2)的基极,其发射极连接第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)和第六三极管(Q6)的发射极并接地(GND);

第三三极管(Q3)的基极连接第二三极管(Q2)的集电极、第四PMOS管(MP4)的漏极和第三电阻(RC)的一端,其集电极连接第一电容(C1)的一端、第五三极管(Q5)和第六三极管(Q6)的基极以及第四三极管(Q4)的基极和集电极并通过第二电阻(RS)后连接电源电压(VCC);

第三电阻(RC)的另一端连接第一电容(C1)的另一端;

第八PMOS管(MP8)的栅极连接第七PMOS管(MP7)的漏极、第六三极管(Q6)的集电极以及第一PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP3)和第六PMOS管(MP6)的栅极并通过第二电容(C2)后连接电源电压(VCC),其漏极连接第九PMOS管(MP9)的源极,其源极连接第一PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP3)、第五PMOS管(MP5)和第六PMOS管(MP6)的源极并连接电源电压(VCC);

第九PMOS管(MP9)的栅极连接第五三极管(Q5)的集电极、第五PMOS管(MP5)的栅极和漏极以及第二PMOS管(MP2)、第四PMOS管(MP4)和第七PMOS管(MP7)的栅极,其漏极作为所述无过冲软启动电路的输出端;

第一PMOS管(MP1)的漏极连接第二PMOS管(MP2)的源极,第三PMOS管(MP3)的漏极连接第四PMOS管(MP4)的源极,第六PMOS管(MP6)的漏极连接第七PMOS管(MP7)的源极。