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专利号: 2018108411467
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.集流量传感器为一体的可降气体流速的MEMS缓冲结构,其特征在于:在流量传感器薄膜外围设有多个均匀分布的铂金属片,其用于气体检测流量;

在两相邻的铂金属片之间有障碍物,所述的障碍物围绕集流量传感器薄膜也呈均匀分布,其高度大于铂金属高度,用于降低气体的流速。

2.根据权利要求1所述的集流量传感器为一体的可降气体流速的MEMS缓冲结构,其特征在于:所述的障碍物选材为氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的集流量传感器为一体的可降气体流速的MEMS缓冲结构,其特征在于:所述的铂金属片有八片,分为四组,两两相对的金属片构成一组,通过这四组铂金属片两端电压差的正负值可判断出气体流向的变化。

4.根据权利要求3所述的集流量传感器为一体的可降气体流速的MEMS缓冲结构,其特征在于:通过测量迎流面相邻的两铂金属片的电压差可得到气体进入流量传感器前的流量,通过测量背流面相邻的两铂金属片的电压差可得到气体进入流量传感器经障碍物降速后的流量。